[发明专利]一种异质结太阳能电池的制作方法在审
| 申请号： | 202010829128.4 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN114078986A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 谢志刚;张超华;曾清华;王树林 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0747 |
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| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供N型单晶硅片；
通过制绒清洗工艺在单晶硅片正面形成金字塔绒面结构；
通过化学抛光清洗工艺在单晶硅片背面形成半抛光结构；
依次设在硅片正面金字塔表面的第一本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层、第一金属电极；
依次设在硅片背面半抛光表面的第二本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层、第二金属电极。
2.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅片金字塔绒面大小为1-12微米。
3.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅片半抛光结构的表面粗糙度为0.5-3微米。
4.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅层、p型非晶硅层采用化学气相沉积技术形成，所述化学气相沉积技术为等离子增强化学气相沉积或热丝法化学气相沉积中的一种。
5.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅层、p型非晶硅层厚度为4-16纳米。
6.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层为氧化铟锡薄膜ITO、掺铝氧化锌AZO、掺钨氧化铟IWO、掺锌氧化铟IZO薄膜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一透明导电膜层厚度为70-120纳米，第二透明导电膜层厚度为50-100纳米。
8.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层通过物理气相沉积或活性等离子沉积形成。
9.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一金属电极、第二金属电极具有多主栅图案或无主栅图案。
10.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一金属电极、第二金属电极通过丝网印刷、3D打印或电镀技术形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
