[发明专利]一种异质结太阳能电池的制作方法在审
申请号: | 202010829128.4 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN114078986A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 谢志刚;张超华;曾清华;王树林 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0747 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 制作方法 | ||
本发明公开了一种异质结太阳能电池的制作方法,包括:提供N型单晶硅片;通过制绒清洗工艺在单晶硅片正面形成金字塔绒面结构;通过化学抛光清洗工艺在单晶硅片背面形成半抛光结构;依次设在硅片正面金字塔表面的第一本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层、第一金属电极;依次设在硅片背面半抛光表面的第二本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层、第二金属电极。本发明通过将电池背面设置为半抛光面,使电池背面非晶硅膜层更加均匀,从而实现更好的钝化效果;提高电池背面反射,从而提高电池电流;减少电池背面20%‑30%透明导电膜沉积,大幅降低透明导电膜成本。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种异质结太阳能电池的制作方法。
背景技术
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件,在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流,通过电极将电能输出。近年来,太阳能电池生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。
硅基异质结太阳能电池是目前高效太阳能电池研发的方向之一。硅基异质结太阳能电池一般采用双面金字塔绒面结构的N型单晶硅片制作形成,在硅片正面沉积本征非晶硅层和n型掺杂非晶硅层,在硅片背面沉积本征非晶硅层与p型掺杂非晶硅层,之后在硅片两面分别形成透明导电膜及金属电极。然而背面金字塔绒面不利于入射光的二次反射吸收,且非晶硅层沉积在金字塔表面厚度均匀性相对较差,使得背面钝化的难度更大,钝化可优化空间也更小。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本发明提供了一种异质结太阳能电池的制作方法,其制备的太阳能转换效率更高,且生产成本更低。
为实现上述目的,本发明提供了一种异质结太阳能电池的制作方法,包括:
提供N型单晶硅片;
通过制绒清洗工艺在单晶硅片正面形成金字塔绒面结构;
通过化学抛光清洗工艺在单晶硅片背面形成半抛光结构;
依次设在硅片正面金字塔表面的第一本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅层、第一透明导电膜层、第一金属电极;
依次设在硅片背面半抛光表面的第二本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、第二透明导电膜层、第二金属电极;
优选的,所述硅片金字塔绒面大小为1-12微米。
优选的,所述背面形成半抛光结构为硅片背面通过水上漂使硅片背面形成半抛光结构。
优选的,所述硅片半抛光结构表面粗糙度为0.5-3微米。
优选的,所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅层、 p型非晶硅层采用化学气相沉积技术形成,所述化学气相沉积技术为等离子增强化学气相沉积。
优选的,所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅层、 p型非晶硅层厚度为4-16纳米。
优选的,所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层为掺钨氧化铟IWO 薄膜。
优选的,所述第一透明导电膜层厚度为70-120纳米,第二透明导电膜层厚度为50-100纳米。
优选的,所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层通过活性等离子沉积形成。
优选的,所述第一金属电极、第二金属电极具有多主栅图案,其中第二金属电极细栅数量是第一金属电极细栅数量的1.5-3倍,第一金属电极、第二金属电极主栅数量一致。
优选的,所述第一金属电极、第二金属电极通过丝网印刷技术形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建金石能源有限公司,未经福建金石能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010829128.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碱蓬酒及其酿造设备
- 下一篇:薄壁圆筒结构件径向胀紧装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的