[发明专利]一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法

权利要求书

1.一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：选取一ITO玻璃作为发光二极管的衬底，所述ITO玻璃包括一玻璃衬底以及覆盖于所述玻璃衬底表面的ITO薄膜；

步骤S2：旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；

步骤S3：配置空穴传输层前驱体溶液，并在PEDOT：PSS的混合溶液膜层之上旋涂前驱体溶液，形成空穴传输层；

步骤S4：配置CdSe量子点溶液，并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；

步骤S5：配置氧化石墨烯的乙二醇溶液，并在量子点发光中心层上旋涂一层氧化石墨烯薄膜；

步骤S6：配置ZnO溶液，并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；

步骤S7：利用蒸镀技术将银蒸镀到步骤S5所制备的样片上，形成银电极，制备得到使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。

2.根据权利要求1所述的一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2的具体方法为：选取适量的PEDOT：PSS的混合溶液，利用旋涂工艺，在一定转速下旋涂于ITO玻璃上，再通过退火干燥，得到PEDOT：PSS薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体方法为：将TFB溶于氯苯中配置成一定浓度，通过旋涂工艺，取出部分溶液以一定的转速将溶液旋涂到已经旋涂有PEDOT：PSS薄膜的ITO玻璃基板上，退火干燥形成空穴传输层。

4.根据权利要求1所述的一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S4的具体方法为：

步骤S41：将一定量硒粉、硫粉和TOP溶液，在设定温度下搅拌溶解，制备出硒的前驱体溶液；将一定量的氧化镉、乙酸锌和油酸在设定温度下搅拌设定时间，而后注入少量ODE溶液，并上升溶液温度；取硒的前驱体溶液，在溶液温度达到设定值时快速注入到该溶液并保持设定时间，同时使用紫外灯进行激发；最后通过水浴的方式快速冷却量子点溶液，用正己烷稀释，得到量子点溶液，在低温条件下保存；

步骤S42：取出部分静置后的量子点溶液的上清液，使用适量甲醇溶解油酸，而后加入适量正己烷溶液溶并取出上层溶液，加入适量无水乙醇进行离心，最后用正己烷溶解沉淀物，得到提纯的量子点溶液；取出适量已提纯的量子点溶液，通过旋涂的方式，在已制备有空穴传输层的ITO玻璃基片上制备出CdSe量子点薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S5的具体方法为：

步骤S51：将一定量浓硫酸、天然石墨粉和高锰酸钾在冰浴条件下依次搅拌设定时间，加入完成后继续搅拌设定时间后使用油浴加热的方式继续搅拌设定时间，而后在保证溶液温度一定的条件下使用去离子水进行稀释，稀释完成后继续搅拌；

步骤S52：搅拌完成之后用高浓度双氧水还原高锰酸钾和二氧化锰得到清澈溶液，过滤后分别使用盐酸和丙酮清洗，最终产物置于丝口瓶保存；

步骤S53：取出部分制备完成的氧化石墨烯产物，以设定的比例加入到乙二醇溶液中，配置成特定浓度的氧化石墨烯溶液；

步骤S54：选取适量的氧化石墨烯溶液，利用旋涂工艺，在一定转速下旋涂于量子点薄膜智商，再通过退火干燥，最终得到氧化石墨烯薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S6的具体方法为：

步骤S61：将一定量的二水醋酸锌以及DMSO溶液混合，在设定温度下加热搅拌，制备醋酸锌的DMSO溶液；将一定量的TMAH和乙醇混合，搅拌至澄清透明，得到TMAH的乙醇溶液；将TMAH的乙醇溶液，逐滴加入到醋酸锌溶液中，在设定温度下加热搅拌设定时间；反应完成后使用适量乙酸乙酯对反应液进行沉淀，通过离心过滤的方法得到ZnO沉淀物，使用适量丁醇溶液进行溶解，过滤得到ZnO溶液；

步骤S62：取适量ZnO溶液，利用旋涂工艺，在一定的转速下，旋涂于制备有量子点薄膜的ITO玻璃基板上，通过退火干燥得到ZnO薄膜。