[发明专利]一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法

说明书

本发明涉及一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；配置空穴传输层前驱体溶液，并旋涂在PEDOT：PSS混合溶液膜层上，形成空穴传输层；配置CdSe量子点溶液并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；配置氧化石墨烯的乙二醇溶液并旋涂在量子点发光中心层上；配置ZnO溶液并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；将银蒸镀到样片上，形成银电极，制得使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。该方法不仅在降低量子点层缺陷的同时提高了器件的性能，而且制备工艺简单，制作成本低。

技术领域

本发明属于光电材料与器件领域，具体涉及一种使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管器件的制备方法。

背景技术

随着科技的发展和社会的进步，信息交流与传递成为了日常生活中必不可少的一部分。量子点光致发光光学薄膜器件，作为一种最有可能实现实用化的显示器件，在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。量子点发光光学薄膜器件作为一种最有可能实现实用化的显示器件，因为其优异的光致发光，广色域以及光色可调等优点，已经成为了目前最为热门的研究对象。

就目前而言，量子点发光二极管大多选择先制备量子点溶液，溶液随后通过旋涂制成器件这一方法。为了提高器件的发光性能以及提高发光稳定性及寿命，我们就需要对量子点材料或者量子点器件各个功能层进行改进，以提高器件的性能等。通过大量的实验，人们利用在量子点发光二极管器件的不同功能层中，通过使用一些物质作为插层或者阻挡层，在一定程度上协调载流子平衡的同时，对量子点发光层有一个类似封装的效果，提高了量子点发光层的稳定性，从而得到性能更好的器件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，该方法不仅在降低量子点层缺陷的同时提高了器件的性能，而且制备工艺简单，制作成本低。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：选取一ITO玻璃作为发光二极管的衬底，所述ITO玻璃包括一玻璃衬底以及覆盖于所述玻璃衬底表面的ITO薄膜；

步骤S2：旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；

步骤S3：配置空穴传输层前驱体溶液，并在PEDOT：PSS的混合溶液膜层之上旋涂前驱体溶液，形成空穴传输层；

步骤S4：配置CdSe量子点溶液，并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；

步骤S5：配置氧化石墨烯的乙二醇溶液，并在量子点发光中心层上旋涂一层氧化石墨烯薄膜；

步骤S6：配置ZnO溶液，并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；

步骤S7：利用蒸镀技术将银蒸镀到步骤S5所制备的样片上，形成银电极，制备得到使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。

进一步地，所述步骤S2的具体方法为：选取适量的PEDOT：PSS的混合溶液，利用旋涂工艺，在一定转速下旋涂于ITO玻璃上，再通过退火干燥，得到PEDOT：PSS薄膜。

进一步地，所述步骤S3具体方法为：将TFB溶于氯苯中配置成一定浓度，通过旋涂工艺，取出部分溶液以一定的转速将溶液旋涂到已经旋涂有PEDOT：PSS薄膜的ITO玻璃基板上，退火干燥形成空穴传输层。

进一步地，所述步骤S4的具体方法为：