[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010830162.3 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112563243A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 黄柏瑜;林诗哲;王朝勋;赵高毅;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一源极/漏极，位于一基板上；
一源极/漏极接点，位于该源极/漏极上；以及
一第一通孔，位于该源极/漏极接点上，其中该第一通孔具有横向凸出的一底部，与位于横向凸出的该底部上的一顶部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010830162.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
