[发明专利]半导体装置在审

申请号：	202010830162.3	申请日：	2020-08-18
公开（公告）号：	CN112563243A	公开（公告）日：	2021-03-26
发明（设计）人：	黄柏瑜;林诗哲;王朝勋;赵高毅;王美匀	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L23/528	分类号：	H01L23/528;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	聂慧荃;闫华
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置
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【说明书】：

公开了一种半导体装置，源极/漏极位于基板上。源极/漏极接点位于源极/漏极上。第一通孔位于源极/漏极接点上。第一通孔具有横向凸出的底部，与位于横向凸出的底部上的顶部。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置，更特别关于低电阻的源极/漏极通孔。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦增加处理与制造集成电路的复杂度。

举例来说，随着每一代技术的源极/漏极通孔缩小，可能增加源极/漏极通孔的电阻。电阻增加是不想要的现象，因为会劣化装置效能如速度。虽然形成源极/漏极通孔的现有方法通常适用，但无法符合所有方面的需求。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置包括：源极/漏极，位于基板上；源极/漏极接点，位于源极/漏极上；以及第一通孔，位于源极/漏极接点上，其中第一通孔具有横向凸出的底部，与位于横向凸出的底部上的顶部。

本发明一实施例提供的半导体装置包括：源极/漏极，位于基板上；栅极结构，位于基板上；第一层间介电层，位于栅极结构上；蚀刻停止层，位于第一层间介电层上；第二层间介电层，位于蚀刻停止层上；栅极通孔，位于栅极结构上，其中栅极通孔垂直延伸穿过第一层间介电层、蚀刻停止层、与第二层间介电层；粘着层，位于栅极通孔与第一层间介电层、蚀刻停止层、及第二层间介电层之间；源极/漏极接点，位于源极/漏极上，其中源极/漏极接点垂直延伸穿过第一层间介电层；以及源极/漏极通孔，位于源极/漏极接点上，其中源极/漏极通孔垂直延伸穿过第二层间介电层与蚀刻停止层，且其中源极/漏极通孔的侧壁直接物理接触蚀刻停止层与第二层间介电层的侧壁。

本发明又一实施例提供的半导体装置的形成方法包括：形成源极/漏极与栅极结构于基板上；形成第一层间介电层于源极/漏极与栅极结构上；形成源极/漏极接点于源极/漏极上，其中源极/漏极接点垂直延伸穿过第一层间介电层；形成蚀刻停止层于第一层间介电层上；形成第二层间介电层于蚀刻停止层上；蚀刻第二层间介电层与蚀刻停止层，以形成第一通孔洞露出源极/漏极接点；形成源极/漏极通孔于第一通孔洞中，其中源极/漏极通孔直接物理接触源极/漏极接点、蚀刻停止层、与第二层间介电层；在形成源极/漏极通孔之后，蚀刻第二层间介电层、蚀刻停止层、与第一层间介电层，以形成第二通孔洞露出栅极结构；以及形成栅极通孔于第二通孔洞中。

附图说明

图1A是本发明多种实施例中，集成电路装置的透视图。

图1B是本发明多种实施例中，集成电路装置的平面上视图。

图2至图14是本发明多种实施例中，集成电路装置在制作的多种阶段中的剖视图。

图15是本发明多种实施例中，集成电路装置于一制作阶段的上视图。

图16是本发明多种实施例中，集成电路装置于一制作阶段的剖视图。

图17是本发明多种实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

附图标记说明：

AA’：剖线

90：集成电路装置

110：基板

120：鳍状结构