[发明专利]光纤及光纤制备方法

权利要求书

1.一种光纤，包括芯层与围绕所述芯层的包层，其特征在于，所述包层包括包覆设置的内包层、第一下陷层、第二下陷层与外包层，所述第一下陷层的单侧宽度大于所述第二下陷层的单侧宽度，所述第一下陷层的相对折射率为-0.03％～-0.06％，所述第二下陷层的相对折射率为-0.08％～-0.15％，所述外包层外还包括涂覆层，所述涂覆层包括包覆设置的第一涂覆层与第二涂覆层，所述第二涂覆层的直径为175μm～195μm。

2.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一下陷层与所述第二下陷层均为掺氟层，所述第一下陷层的单侧宽度为3～5μm，所述第二下陷层的单侧宽度为2～4μm。

3.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第二下陷层的折射率为梯度内抛物线形分布，自所述第一下陷层至所述外包层递减，分布指数为1.2～2.2。

4.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述外包层直径为124μm～126μm。

5.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一涂覆层的弹性模量为0.3～0.4Mpa，所述第一涂覆层的厚度为12μm～20μm，所述第一涂覆层的玻璃化转变温度为-40℃～-60℃。

6.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第二涂覆层的杨氏模量大于600Mpa，所述第二涂覆层的厚度为12μm～18μm。

7.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的模场直径为8.4μm～9.4μm。

8.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，当所述光纤的弯曲半径为7.5mm时，在弯曲1圈状态下，所述光纤在波长1550nm时的宏弯曲损耗小于0.1dB；所述光纤在波长1625nm时的宏弯曲损耗小于0.25dB。

9.一种制备上述权利要求1至8任意一项所述的光纤的方法，其特征在于，所述光纤制备方法包括：

制备第一芯棒松散体，采用第一喷灯、第二喷灯及第三喷灯由内向外依次进行沉积，在第一喷灯中通入SiCl4气体、GeCl4气体、氧气、可燃气体及氩气，形成掺锗的芯层；在第二喷灯中通入SiCl4气体、氧气、可燃气体及氩气，形成纯硅的内包层；在第三喷灯中通入SiCl4气体，含氟气体，氧气，可燃气体和氩气，形成第一下陷层；

将上述制备的第一芯棒松散体置于氯气中进行脱羟处理，然后进行玻璃化工艺与退火工艺形成芯棒；

将上述制备的芯棒作为靶棒，在芯棒的外表面由内而外沉积第二下陷层与外包层，产生第二芯棒松散体，并对所述第二芯棒松散体进行烧结处理得到光纤预制棒；

将上述制备的光纤预制棒进行拉丝处理，并通过二次加热保温退火工艺处理，得到裸光纤；

冷却上述制备的裸光纤，对所述裸光纤进行一次涂覆与二次涂覆，得到第一涂覆层与第二涂覆层，并通过紫外光对所述第一涂覆层与所述第二涂覆层进行固化处理得到光纤。

10.根据权利要求9所述的光纤制备方法，其特征在于，在二次加热保温退火工艺中，控制电阻炉中分节加热电阻丝形成1250℃～800℃逐步降低的梯度温场。