[发明专利]光纤及光纤制备方法

说明书

本申请提供一种光纤，包括芯层与围绕所述芯层的包层，所述包层包括包覆设置的内包层、第一下陷层、第二下陷层与外包层，所述第一下陷层的单侧宽度大于所述第二下陷层的单侧宽度，所述第一下陷层的相对折射率为‑0.03％～‑0.06％，所述第二下陷层的相对折射率为‑0.08％～‑0.15％，所述外包层外还包括涂覆层，所述涂覆层包括包覆设置的第一涂覆层与第二涂覆层，所述第二涂覆层的直径为175μm～195μm。本申请还提供一种光纤制备方法。通过本申请，能够降低光纤尺寸，提高光纤的抗弯曲性能。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光纤及光纤制备方法。

背景技术

目前，国内光纤光缆厂家在小尺寸光纤领域处于试验和探索阶段，市场上常规单模光纤的最小尺寸为200μm，包层直径为125μm，涂层直径为250μm，采用内外涂层两层保护。如何设计适用于超高密度光缆的小尺寸抗弯曲光纤，且光纤性能完全满足使用要求并没有公开报道。

随着国内光网络建设的增多以及管道资源的限制，光纤的敷设难度增加，且光纤在敷设过程中，经常会遇到小角度弯曲，现有的光纤由于其尺寸较大、抗弯曲性能不佳，在进行小角度弯曲时，很容易造成信号损失，造成传输中断。

发明内容

鉴于此，有必要提出一种光纤及光纤制备方法，能够降低光纤尺寸，提高光纤的抗弯曲性能。

本申请实施例第一方面提供一种光纤，包括芯层与围绕所述芯层的包层，所述包层包括包覆设置的内包层、第一下陷层、第二下陷层与外包层，所述第一下陷层的单侧宽度大于所述第二下陷层的单侧宽度，所述第一下陷层的相对折射率为-0.03％～-0.06％，所述第二下陷层的相对折射率为-0.08％～-0.15％，所述外包层外还包括涂覆层，所述涂覆层包括包覆设置的第一涂覆层与第二涂覆层，所述第二涂覆层的直径为175μm～195μm。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，所述第一下陷层与所述第二下陷层均为掺氟层，所述第一下陷层的单侧宽度为3～5μm，所述第二下陷层的单侧宽度为2～4μm。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，所述第二下陷层的折射率为梯度内抛物线形分布，自所述第一下陷层至所述外包层递减，分布指数为1.2～2.2。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，所述外包层直径为124μm～126μm。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，所述第一涂覆层的弹性模量为0.3～0.4Mpa，所述第一涂覆层的厚度为12μm～20μm，所述第一涂覆层的玻璃化转变温度为-40℃～-60℃。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，所述第二涂覆层的杨氏模量大于600Mpa，所述第二涂覆层的厚度为12μm～18μm。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，所述光纤的模场直径为8.4μm～9.4μm。

进一步地，在本申请提供的上述光纤中，当所述光纤的弯曲半径为7.5mm时，在弯曲1圈状态下，所述光纤在波长1550nm时的宏弯曲损耗小于0.1dB；所述光纤在波长1625nm时的宏弯曲损耗小于0.25dB。

本申请实施例第二方面还提供一种制备上述光纤的方法，所述光纤制备方法包括：

制备第一芯棒松散体，采用第一喷灯、第二喷灯及第三喷灯由内向外依次进行沉积，在第一喷灯中通入SiCl4气体、GeCl4气体、氧气、可燃气体及氩气，形成掺锗的芯层；在第二喷灯中通入SiCl4气体、氧气、可燃气体及氩气，形成纯硅的内包层；在第三喷灯中通入SiCl4气体，含氟气体，氧气，可燃气体和氩气，形成第一下陷层；

将上述制备的第一芯棒松散体置于氯气中进行脱羟处理，然后进行玻璃化工艺与退火工艺形成芯棒；