[发明专利]MOS型功率器件

权利要求书

1.一种MOS型功率器件，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）中的MOSFET芯片（2）、快恢复二极管（9）、陶瓷导热本体（3）、源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6），此源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6）从环氧封装体（1）内向外延伸出；

所述陶瓷导热本体（3）一表面开有第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33），此第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33）内分别填充有第一导电条（71）、第二导电条（72）和导电块（73）；

所述MOSFET芯片（2）上具有源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23），所述MOSFET芯片（2）安装于陶瓷导热本体上，此源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23）分别与第一导电条（71）、导电块（73）一端和第二导电条（72）电连接；

所述源极管脚（4）与第一导电条（71）电连接，所述漏极管脚（5）与导电块（73）另一端电连接，所述栅极管脚（6）与第二导电条（72）电连接；

所述陶瓷导热本体（3）具有一从环氧封装体（1）端面延伸出的散热板（9），位于环氧封装体（1）内的陶瓷导热本体（3）具有至少一个通孔（10）；所述快恢复二极管（11）的正极和负极均通过导电金线（12）连接到第一导电条（71）、导电块（73）；

所述陶瓷导热本体（3）与MOSFET芯片（2）相背的侧表面（34）从环氧封装体（1）内延伸出，此陶瓷导热本体（3）的侧表面（34）平行地开有至少2个导槽（13）；

所述快恢复二极管（9）进一步将包括：二极管芯片（111）、第一金属引线（112）和第二金属引线（113），所述二极管芯片（111）、第一金属引线（112）和第二金属引线（113）各自的焊接端（114）位于环氧封装体（116）内，此第一金属引线（112）和第二金属引线（113）各自引脚端（115）分别从环氧封装体（116）两侧延伸出，所述第一金属引线（112）和第二金属引线（113）各自的焊接端（114）与二极管芯片（111）均通过焊片层（117）连接；

所述第一金属引线（112）和第二金属引线（113）各自的焊接端（114）进一步包括端面板（118）和位于端面板（118）表面间隔分布的若干个凸柱（119），所述焊片层（117）位于金属引线的端面板（118）、凸柱（119）与二极管芯片（111）之间。

2.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于：所述陶瓷导热本体（3）的通孔（10）数目为2个。

3.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于：所述陶瓷导热本体（3）的导槽（13）的截面形状为弧形。

4.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于：所述金属引线的端面板（118）的面积大于二极管芯片（111）的面积。