[发明专利]MOS型功率器件

说明书

本发明公开一种MOS型功率器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出。本发明有利于进一步提高器件的功率，也便于热量扩散，防止水汽进入器件内部，便于热量扩散同时，提高了器件整体结构稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOS型功率器件。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型。

场效应管在同步整流开关电源及脉冲电源工业领域中广泛应用，为此，现有技术中很多涉及场效应管的封装结构，一般大电流的封装结构是将场效应管的直接焊接在电路板上，然后再将电路板固定在相应的导电基座上，最后进行相应的封装。采用上述结构的场效应管封装结构，由于场效应管工作温度较高，且散热效果不好，容易导致焊点由于高温作用下而软化。

发明内容

本发明的目的是提供一种MOS型功率器件，该MOS型功率器件避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部，既增加了和热交换的面积，便于热量扩散同时，提高了器件整体结构稳定性。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种MOS型功率器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；

所述陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；

所述MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；

所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；

所述陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；

所述陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽；

所述快恢复二极管进一步将包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体两侧延伸出，所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端与二极管芯片均通过焊片层连接；

所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的通孔数目为2个。

2. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的导槽的截面形状为弧形。

3. 上述方案中，所述金属引线的端面板（118）的面积大于二极管芯片（111）的面积。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：