[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010832143.4 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112038292A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 唐怡 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上制作有PMOS器件和NMOS器件，所述PMOS器件制作在PMOS区域，所述NMOS器件制作在NMOS区域；
在所述半导体衬底上沉积氮化硅层；
保护所述NMOS区域，露出所述PMOS区域；
向所述PMOS区域注入离子，去除所述PMOS器件区域上氮化硅层的拉应力。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护所述NMOS区域，露出所述PMOS区域，包括：
在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述NMOS区域，所述PMOS区域未被光刻胶层覆盖。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向PMOS区域注入离子，去除所述PMOS器件区域上氮化硅层的拉应力，包括：
向所述PMOS区域的氮化硅层注入锗离子，去除所述PMOS器件区域上氮化硅层的拉应力。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述锗离子的注入能量范围为10-20KeV，锗离子的注入剂量为5E13-1E15atom/cm2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向PMOS区域注入离子，去除所述PMOS器件区域上氮化硅层的拉应力，包括：
向所述PMOS区域的氮化硅层注入硅离子，去除所述PMOS器件区域上氮化硅层的拉应力。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅离子的注入能量范围为4-10KeV，硅离子的注入剂量为5E13-1E15atom/cm2。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上沉积氮化硅层，包括：
通过PECVD方式在所述半导体衬底上沉积所述氮化硅层。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上沉积氮化硅层之后，所述方法还包括：
利用UV光照射所述氮化硅层。
9.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度范围为400-500A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
