[发明专利]存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

沿第一方向延伸的有源区和沿第二方向延伸的字线，所述字线部分位于相邻所述有源区之间，所述字线包括栅导电层以及位于所述栅导电层和所述有源区之间的栅介电层，在平行于所述第一方向上，所述有源区具有朝向所述字线的端面，且所述端面与所述栅导电层之间的间距的极差处于预设范围内，所述预设范围为0nm~0.4nm；

所述栅导电层包括邻接的直线部和弯折部，所述直线部位于所述有源区内且沿所述第二方向延伸，所述弯折部位于相邻所述有源区之间。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在平行于所述第一方向上，所述端面与所述字线之间的间距的极差处于所述预设范围内。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在平行于所述第一方向上，所述端面与所述字线之间的间距的极差大于所述预设范围。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，在平行于所述第一方向上，所述栅介电层的厚度的最大值为3nm~5nm，且最小值为1nm~3nm。

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，还包括：位于相邻所述有源区之间的隔离结构，所述字线位于所述隔离结构内，所述栅介电层位于所述隔离结构和所述栅导电层之间，所述栅介电层的材料的介电常数大于或等于所述隔离结构的材料的介电常数。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述弯折部具有垂直所述第一方向延伸的部分。

7.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供沿第一方向延伸的有源区；

形成沿第二方向延伸的字线，所述字线部分位于相邻所述有源区之间，所述字线包括栅导电层以及位于所述栅导电层和所述有源区之间的栅介电层，在平行于所述第一方向上，所述有源区具有朝向所述字线的端面，且所述端面与所述栅导电层之间的间距的极差处于预设范围内，所述预设范围为0nm~0.4nm；

所述栅导电层包括邻接的直线部和弯折部，所述直线部位于所述有源区内且沿所述第二方向延伸，所述弯折部位于相邻所述有源区之间。

8.根据权利要求7所述的存储器的制作方法，其特征在于，在平行于所述第一方向上，所述端面与所述字线之间的间距的极差处于所述预设范围内。

9.根据权利要求8所述的存储器的制作方法，其特征在于，相邻所述有源区之间具有隔离结构；形成所述字线的工艺步骤包括：形成用于填充所述字线的凹槽，所述凹槽穿过所述有源区和隔离结构，在平行于所述第一方向上，所述端面与所述隔离结构内的所述凹槽之间的所述隔离结构的厚度的极差处于所述预设范围内。

10.根据权利要求7所述的存储器的制作方法，其特征在于，在平行于所述第一方向上，所述端面与所述字线之间的间距的极差大于所述预设范围。

11.根据权利要求10所述的存储器的制作方法，其特征在于，相邻所述有源区之间具有隔离结构；形成所述字线的工艺步骤包括：形成用于填充所述字线的凹槽，所述凹槽穿过所述有源区和隔离结构；进行原位生长工艺，以利用所述有源区内的材料形成覆盖所述凹槽侧壁和底面的栅介电层；向所述凹槽内填充形成所述栅导电层。

12.根据权利要求11所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述原位生长工艺包括氧化工艺或氮化工艺。

13.根据权利要求12所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述氧化工艺包括热氧化工艺，所述热氧化工艺的工艺温度为900℃~1100℃。