[发明专利]一种Quad-CAP高耐压隔离电容及数字隔离器在审
| 申请号： | 202010832721.4 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111952450A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 丁万新 | 申请（专利权）人： | 上海川土微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 李思琼;冯振华 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 quad cap 耐压 隔离 电容 数字 隔离器 | ||
【权利要求书】：
1.一种Quad-CAP高耐压隔离电容，其特征在于，包括互相连接的两个隔离电容单元，每个所述隔离电容单元均包括下极板、上极板以及依次设置在下极板和上极板之间的SiO2介质层和Polyimide介质层，所述SiO2介质层的厚度为9-11um，Polyimide介质层的厚度为18-22um。
2.根据权利要求1所述的Quad-CAP高耐压隔离电容，其特征在于，所述SiO2介质层的厚度为10um，Polyimide介质层的厚度为20um。
3.根据权利要求1所述的Quad-CAP高耐压隔离电容，其特征在于，所述上极板采用金属Cu制作而成。
4.根据权利要求1所述的Quad-CAP高耐压隔离电容，其特征在于，所述Polyimide介质层通过晶圆后道工艺加工而成。
5.一种数字隔离器，其特征在于，包括信号发射模块、信号接收模块，以及如权利要求1至4任一项所述的Quad-CAP高耐压隔离电容；所述信号发射模块对输入信号进行调制，并将调制后的信号发射至所述Quad-CAP高耐压隔离电容，经过所述Quad-CAP高耐压隔离电容的信号由所述信号接收模块进行解调后输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海川土微电子有限公司，未经上海川土微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010832721.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
