[发明专利]一种图案化方法

权利要求书

1.一种图案化方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有牺牲图案，其中，所述牺牲图案是基于第一掩膜版及第一光刻胶层形成的；

在所述牺牲图案的侧壁形成间隔片，去除所述牺牲图案，其中，所述间隔片被保留；

基于第二掩膜版，在所述半导体衬底的表面形成图形化的第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层的至少一部分落入相邻的间隔片中间；

以所述间隔片以及所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底；

其中，所述第二掩膜版上的图案的线宽均大于预设线宽；

所述第二掩膜版上的图案被划分为第二相邻图案以及第二独立图案，其中，所述第二相邻图案的线宽大于所述预设线宽，所述第二独立图案的线宽大于所述预设线宽且小于等于第二数量倍所述预设线宽；

所述第二相邻图案映射至所述半导体衬底表面的图案被记为第二相邻半导体图案，线宽不大于所述预设线宽且对应于第一掩膜版的版图映射至所述半导体衬底表面的图案被记为基准半导体图案，所述第二相邻半导体图案与距离最近的基准半导体图案之间的距离小于预设距离；

所述第二独立图案映射至所述半导体衬底表面的图案被记为第二独立半导体图案，将线宽不大于所述预设线宽且对应于第一掩膜版的版图映射至所述半导体衬底表面的图案被记为基准半导体图案，所述第二独立半导体图案与各个基准半导体图案之间的距离均大于等于预设距离；

所述第二独立图案的宽度小于所述第二相邻图案的宽度。

2.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述牺牲图案的蚀刻步骤包括：

提供半导体原始衬底，在所述半导体原始衬底的表面形成掩膜层，在所述掩膜层的表面形成牺牲材料层；

基于所述第一掩膜版，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述牺牲材料层以得到所述半导体衬底以及牺牲图案。

3.根据权利要求2所述的图案化方法，其特征在于，基于所述第一掩膜版，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层包括：

基于所述第一掩膜版上的图案，采用光刻工艺，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层；

其中，所述第一掩膜版上的图案包括线宽不大于预设线宽的图案。

4.根据权利要求3所述的图案化方法，其特征在于，所述第一掩膜版上的图案还包括第一独立图案，其中，所述第一独立图案包括线宽大于所述预设线宽且小于等于第一数量倍所述预设线宽的图案；

基于所述第一掩膜版上的图案，采用光刻工艺，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层包括：

至少基于所述第一掩膜版上的第一独立图案，采用光刻工艺，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层；

其中，所述第一独立图案映射至所述半导体衬底表面的图案被记为第一独立半导体图案，线宽小于等于所述预设线宽的图案映射至所述半导体衬底表面的图案被记为基准半导体图案，其中，所述第一独立半导体图案与各个基准半导体图案之间的距离均大于等于预设距离。

5.根据权利要求3所述的图案化方法，其特征在于，所述第一掩膜版上的图案还包括第一相邻图案，其中，所述第一相邻图案包括线宽大于第一数量倍所述预设线宽的图案；

基于所述第一掩膜版上的图案，采用光刻工艺，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层包括：

至少基于所述第一掩膜版上的第一相邻图案，采用光刻工艺，在所述牺牲材料层的表面形成图形化的第一光刻胶层；

其中，所述第一相邻图案映射至所述半导体衬底表面的图案被记为第一相邻半导体图案，线宽小于等于所述预设线宽的图案映射至所述半导体衬底表面的图案被记为基准半导体图案，其中，所述第一相邻半导体图案与任意一个基准半导体图案之间的距离小于预设距离。

6.根据权利要求3所述的图案化方法，其特征在于，所述第一掩膜版上的图案包括所述第一掩膜版的图案以及所述第二掩膜版的图案。