[发明专利]多芯片倒装贴片三维集成封装结构及其制造方法

说明书

本申请公开了一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构，包括一级芯片和二级芯片，二级芯片以倒装方式与一级芯片连接，所述的一级芯片和二级芯片之间通过若干短凸点连接，所述的一级芯片通过装配层正装固定并连接在装配板上，所述的二级芯片通过若干长凸点与装配板连接，位于装配板上部且一级芯片的一侧固定有芯间连接编程盒，所述若干短凸点均连接一个短凸连接板，所述若干长凸点均连接一个长凸连接板，所述长凸连接板与短凸点的接触处通过绝缘材料隔绝，所述的长凸连接板通过上行线连接芯间连接编程盒，所述的短凸连接板通过折弯的下行线连接芯间连接编程盒，所述的下行线布线中穿插过位于装配板上的装配缺口。本申请还公开了上述结构的制造方法。

技术领域

本申请涉及一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构及其制造方法。

背景技术

在现有的多芯片倒装贴片技术中，中国发明CN201811366711.5公开了一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构及其制造方法，其多芯片倒装贴片三维集成封装结构，如图7所示，该多芯片倒装贴片三维集成封装结构100包括封装基板110、第一芯片120、贴片层130、第二芯片140、第一凸点141、第二凸点142塑封层150以及外接焊盘160。封装基板110为普通封装基板，如亚克力、PCB、玻璃等封装基板。在其公开的一个实施例中封装基板为多层板，其内和或表面设置有重新布局布线线路，上下表面的对应位置分别设置有焊盘。第一芯片120可以为处理器、存储器、SOC等各类功能芯片，通过贴皮层130正装贴片至封装基板110的对应位置，第一芯片120的正面具有焊盘。第二芯片140通过第一凸点141和第二凸点142倒装焊接在第一芯片120 和封装基板110的对应焊盘上，其中通过第一凸点141与第一芯片120形成电和或信号互连；通过第二凸点142与封装基板110第一面的焊盘形成电和或信号的互连。其中第一凸点141的高度低于第二凸点142的高度，在封装结构中，第二凸点142的高度H等于第一凸点141的高度h与第一芯片120的厚度T 以及贴片层130的厚度t之和。塑封层150位于封装基板110的第一面上，包覆第一芯片120、第二芯片 140，并填充封装基板110、第一芯片120以及第二芯片140之间的间隙。外接焊盘160位于封装基板110的第二面，通过基板通孔 和或重新布局布线互连与第二芯片140电连接。

上述专利还公开了上述多芯片倒装贴片三维集成封装结构的制造方法，其包括步骤：

在第一芯片上形成第一凸点；在第一芯片上形成第二凸点；提供第二芯片、贴片材料和封装基板；将第二芯片正装贴片至封装基板；将第一芯片倒装焊接至第二芯片和封装基板；

对封装结构进行塑封保护；以及在封装基板的外表面形成外接焊球。

上述的多芯片倒装贴片三维集成封装结构是现有技术中比较普遍的结构，该结构的核心是将两层芯片（两个芯片或多个芯片形成的两层芯片）的中间部分以倒装的方式连接（如上述专利中的第一芯片120和第二芯片140的中间部分以倒装的方式连接），然而实际上该结构的局限是两层芯片的中间部分不能再进行凸点的设置，即不能再设置第三层等其他层，也不能将两层的多个芯片多级连接，而只能进行两级的连接交互，这实际上限制了封装芯片的集成度，在封装芯片时很多时候对芯片的集成度要求很高，比如需要很多级芯片之间相连，因为上述专利涉及的技术中两层芯片的中间部分不能再进行凸点的设置，就不能再连接其他芯片的凸点或引脚，所以上述技术中实质仅能实现两级芯片的逻辑连接而不能实现多级芯片之间相连及封装。

发明内容

本申请的目的在于提供一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构及其制造方法：