[发明专利]失效位元的修补方法及装置有效
申请号: | 202010833678.3 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN114078564B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 陈予郎 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 失效 位元 修补 方法 装置 | ||
1.一种失效位元的修补方法,其特征在于,包括:
确定待修补芯片的待修补区域;其中,所述待修补区域包括多个目标修补区域,所述待修补区域通过对所述待修补芯片的初始待修补区域的初始字线与初始位线进行压缩处理后形成;
采用备用电路对各所述目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理;
在进行所述第一修补处理之后,执行第二失效位元的位置确定步骤以确定各所述目标修补区域中的第二失效位元的位元位置,并根据所述第二失效位元的位元位置对所述第二失效位元进行第二修补处理;
确定各所述目标修补区域的未修补失效位元,并递归执行所述第二失效位元的位置确定步骤以得到所述未修补失效位元的测试修补位置,以根据所述测试修补位置对所述未修补失效位元进行第三修补处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述确定待修补芯片的待修补区域之前,所述方法还包括:
确定所述待修补芯片的初始待修补区域;其中,所述初始待修补区域包括初始字线和初始位线;
获取所述初始待修补区域的字线压缩比例和位线压缩比例;
根据所述字线压缩比例对所述初始字线进行压缩处理,并根据所述位线压缩比例对所述初始位线进行压缩处理,以形成所述待修补区域。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述确定待修补芯片的待修补区域之后,所述方法还包括:
确定所述待修补区域的划分列;其中,所述划分列的宽度根据经压缩处理后数据队列单元中行向等效位元的数量确定;
按照所述划分列对所述待修补区域进行列划分处理,以形成多个所述目标修补区域。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用备用电路对各所述目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理,包括:
确定所述目标修补区域的失效位元特征图;
根据所述失效位元特征图并采用所述备用电路对各所述目标修补区域的失效位元进行第一修补处理。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述确定所述目标修补区域的失效位元特征图,包括:
将所述目标修补区域划分为多个基本修补区域;其中,所述基本修补区域包括预设数量个数据队列单元;
获取所述基本修补区域,并确定所述基本修补区域中所有位元的位元状态;
对各所述预设数量个数据队列单元中的所述位元状态进行或运算处理,并合并生成所述基本修补区域的失效位元图;
根据各所述基本修补区域分别对应的失效位元图生成所述失效位元特征图。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述备用电路包括备用字线和备用位线,所述根据所述失效位元特征图并采用所述备用电路对各所述目标修补区域的失效位元进行第一修补处理,包括:
判断步骤:判断所述失效位元特征图是否满足预设条件;其中,所述预设条件包括第一预设条件和第二预设条件;
第一初始修补处理步骤:如果所述失效位元特征图满足第一预设条件,则采用所述备用字线对所述失效位元进行修补处理;其中,所述第一预设条件包括基本修补区域中第一编号字线的失效位元数量大于所述基本修补区域中当前剩余的备用位线数量;
第二初始修补处理步骤:如果所述失效位元特征图满足第二预设条件,则采用所述备用位线对所述失效位元进行修补处理;其中,所述第二预设条件包括基本修补区域中第一编号位线的失效位元数量大于所述基本修补区域中当前剩余的备用字线数量。
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