[发明专利]InSb晶片处理装置及处理方法

权利要求书

1.一种InSb晶片处理装置，其特征在于，所述晶片处理装置用于提高待处理晶片的质量，所述处理装置包括：

支架，所述支架具有多个用于放置所述待处理晶片的放置槽；

容纳管，所述支架放置于所述容纳管的腔体内，所述腔体内具有用于放置待补偿元素物质的补偿区。

2.根据权利要求1所述的InSb晶片处理装置，其特征在于，所述支架包括：

基板，所述基板为长方形片状板；

多片隔板，多片所述隔板沿所述基板的长度方向间隔设置，构成多个所述放置槽；

当所述待处理晶片放置于所述放置槽时，所述隔板支撑所述待处理晶片，以使所述待处理晶片倾斜固定于所述支架上。

3.根据权利要求2所述的InSb晶片处理装置，其特征在于，所述隔板与所述基板之间的夹角范围为60°至90°。

4.根据权利要求1所述的InSb晶片处理装置，其特征在于，所述腔体的内壁部分向内起形成格挡部，以限制所述补偿区内的所述待补偿元素物质的运动范围。

5.根据权利要求4所述的InSb晶片处理装置，其特征在于，所述格挡部靠近所述容纳管的底部设置，所述格挡部为沿所述容纳管周向方向延伸的环形缩口。

6.根据权利要求1所述的InSb晶片处理装置，其特征在于，所述容纳管具有用于密封所述腔体的密封塞。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的InSb晶片处理装置，其特征在于，所述容纳管和所述支架均为石英件。

8.一种InSb晶片处理方法，其特征在于，所述方法采用根据权利要求1-7中任一项所述的InSb晶片处理装置对待处理晶片进行处理，以提高所述待处理晶片的质量，所述方法包括：

将多个待处理晶片依次放置于所述支架的放置槽；

将待补偿元素物质放置于所述补偿区，并将承载多个所述待处理晶片的支架放置于所述腔体内；

根据预设加热曲线对所述晶片处理装置进行加热处理；

取出加热处理后的待处理晶片。

9.根据权利要求8所述的InSb晶片处理方法，其特征在于，在对所述晶片处理装置进行加热处理之前，所述方法还包括：

对所述晶片处理装置进行抽真空处理后密封。

10.根据权利要求8所述的InSb晶片处理方法，其特征在于，在将所述待处理晶片放置于所述容纳槽之前，所述方法还包括：

对所述待处理晶片和所述晶片处理装置进行清洁处理。