[发明专利]InSb晶片处理装置及处理方法

说明书

本发明提出了一种InSb晶片的处理装置及方法。晶片处理装置用于提高待处理晶片的质量，处理装置包括：支架和容纳管，支架具有多个用于放置待处理晶片的放置槽，支架放置于容纳管的腔体内，腔体内具有用于放置待补偿元素物质的补偿区。根据本发明的InSb晶片处理装置，可以将多个待处理晶片放置于支架的多个放置槽内，将待补偿元素物质放置于补偿区，将承载有待处理晶片的支架放置于腔体内，通过对晶片处理装置进行加热，可以改善待处理晶片的化学计量比，而且，可以释放待处理晶片的残余应力，提高了晶格质量，并有利于优化待处理晶片的平整度，从而提高了待处理晶片的整体质量。

技术领域

本发明涉及晶片制造技术领域，尤其涉及一种InSb晶片处理装置及方法。

背景技术

InSb晶片制备工艺主要包括晶体生长、切割、晶片研磨和晶片抛光。其中，晶体生长过程中，生长态晶体处在高温环境，晶体内部不可避免的会产生热应力，进而导致缺陷产生。这些缺陷不会因为后续的机械加工而得到消除，它们最终会遗传到晶片中，影响晶片的质量。

另外，晶体生长完成之后，还需要通过切割、研磨、抛光等工艺制成晶片，这些机械加工过程也会不可避免地引入加工应力及缺陷，降低晶片的整体质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何提高晶片的整体质量，本发明提出了一种InSb晶片的处理装置及方法。

根据本发明实施例的InSb晶片处理装置，所述晶片处理装置用于提高待处理晶片的质量，所述处理装置包括：

支架，所述支架具有多个用于放置所述待处理晶片的放置槽；

容纳管，所述支架放置于所述容纳管的腔体内，所述腔体内具有用于放置待补偿元素物质的补偿区。

根据本发明实施例的InSb晶片处理装置，可以将多个待处理晶片放置于支架的多个放置槽内，将待补偿元素物质放置于补偿区，将承载有待处理晶片的支架放置于腔体内，通过对晶片处理装置进行加热，可以改善待处理晶片的化学计量比，而且，可以释放待处理晶片的残余应力，提高了晶格质量，并有利于优化待处理晶片的平整度，从而提高了待处理晶片的整体质量。

根据本发明的一些实施例，所述支架包括：

基板，所述基板为长方形片状板；

多片隔板，多片所述隔板沿所述基板的长度方向间隔设置，构成多个所述放置槽；

当所述待处理晶片放置于所述放置槽时，所述隔板支撑所述待处理晶片，以使所述待处理晶片倾斜固定于所述支架上。

在本发明的一些实施例中，所述隔板与所述基板之间的夹角范围为60°至90°。

根据本发明的一些实施例，所述腔体的内壁部分向内起形成格挡部，以限制所述补偿区内的所述待补偿元素物质的运动范围。

在本发明的一些实施例中，所述格挡部靠近所述容纳管的底部设置，所述格挡部为沿所述容纳管周向方向延伸的环形缩口。

根据本发明的一些实施例，所述容纳管具有用于密封所述腔体的密封塞。

在本发明的一些实施例中，所述容纳管和所述支架均为石英件。

根据本发明实施例的InSb晶片处理方法，所述方法采用上述所述的晶片处理装置对待处理晶片进行处理，以提高所述待处理晶片的质量，所述方法包括：

将多个待处理晶片依次放置于所述支架的放置槽；

将待补偿元素物质放置于所述补偿区，并将承载多个所述待处理晶片的支架放置于所述腔体内；

根据预设加热曲线对所述晶片处理装置进行加热处理；

取出加热处理后的待处理晶片。