[发明专利]5G小型基站射频声波滤波器

权利要求书

1.一种5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，包括：谐振器衬底(1)、谐振器压电层(5)、谐振器上电极以及反射构件；

所述谐振器衬底(1)设置于5G小型基站射频声波滤波器的底部；

所述谐振器衬底(1)的电阻大于设定阈值；

所述谐振器压电层(5)采用压电薄膜材料；

所述谐振器上电极设置于5G小型基站射频声波滤波器的上部；

所述反射构件设置于5G小型基站射频声波滤波器的中部；

所述谐振器压电层(5)设置于5G小型基站射频声波滤波器的上部。

2.根据权利要求1所述的5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，还包括：牺牲层(2)、保护层(3)、谐振器平板底电极(4)；

所述反射构件采用空气反射腔(7)；

所述牺牲层(2)形成于谐振器衬底(1)之上；所述牺牲层(2)的厚度与空气反射腔(7)的厚度相等；

所述谐振器衬底(1)采用以下任意一种：

-蓝宝石衬底；

-碳化硅衬底；

-单晶硅衬底；

-高阻硅衬底；

所述牺牲层(2)采用以下任意一种：

-用湿法刻蚀除去的材料；

-用干法刻蚀除去的材料；

所述保护层(3)形成于牺牲层(2)之中。

3.根据权利要求2所述的5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，所述谐振器平板底电极(4)采用平板结构；

所述谐振器平板底电极(4)和谐振器平板上电极(6)之间形成激发电场；

所述激发电场能够在谐振器压电层(5)激发出声波；

所述谐振器平板底电极(4)采用以下任一种连接方式：

-接地；

-接电

所述谐振器平板底电极(4)采用金属薄膜；

所述谐振器平板底电极(4)采用以下任一种：

-钼薄膜；

-钌薄膜；

-铂金薄膜；

所述谐振器平板底电极(4)的厚度小于设定阈值；

所述谐振器压电层(5)采用以下任一种：

-铌酸锂；

-钽酸锂；

-氮化铝；

-掺杂氮化铝；

-钛酸锶钡。

4.根据权利要求3所述的5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，所述谐振器上电极采用谐振器平板上电极(6)。

5.根据权利要求4所述的5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，

谐振器平板上电极(6)采用平板结构；

所述谐振器平板上电极(6)采用以下任意一种连接方式：

-接地；

-接电；

所述谐振器平板上电极(6)通常需和底底电极4之间交叉接电或接地以形成电场；

所述谐振器平板上电极(6)采用金属薄膜电极；

所述谐振器平板上电极(6)采用以下任一种：

-钼电极；

-钌电极；

-铂金电极；

-铝电极；

-金电极。

6.根据权利要求3所述的5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，所述谐振器上电极采用：谐振器交叉上电极(8)；

所述谐振器交叉上电极(8)采用以下任意一种连接方式：

-接地；

-接电；

-交叉电极轮流接电和接地。

7.根据权利要求1所述的5G小型基站射频声波滤波器，其特征在于，还包括：谐振器平板底电极(4)；

所述反射构件采用镜面反射器(11)；

所述谐振器上电极采用谐振器平板上电极(6)；

所述镜面反射器(11)包括：一个或者多个低阻抗反射层(9)；

所述镜面反射器(11)包括：一个或者多个高阻抗反射层(10)；

所述多个低阻抗反射层(9)与多个高阻抗反射层(10)形成镜面反射器(11)。