[发明专利]5G小型基站射频声波滤波器

说明书

本发明提供了一种5G小型基站射频声波滤波器，包括：谐振器衬底(1)、谐振器压电层(5)、谐振器上电极以及反射构件；所述谐振器衬底(1)设置于5G小型基站射频声波滤波器的底部；所述谐振器衬底(1)的电阻大于设定阈值；所述谐振器压电层(5)采用压电薄膜材料；所述谐振器上电极设置于5G小型基站射频声波滤波器的上部；所述反射构件设置于5G小型基站射频声波滤波器的中部；所述谐振器压电层(5)设置于5G小型基站射频声波滤波器的上部。本发明通过提出拆分法来提高普通谐振器的电极面积，在保持谐振器电学性能不变的前提下，提高了谐振器的可承载功率。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，具体地，涉及一种5G小型基站射频声波滤波器，尤其涉及一种可承载高功率的5G小基站射频声波滤波器。

背景技术

随着5G通信技术的迅速发展，对通信系统的传输速率、时延和信号覆盖能力等有着越来越高的要求，其中5G小基站，作为宏基站的补充，可以覆盖到宏基站无法服务的区域，或者在局域范围内实现更优质的通信性能。射频滤波器作为基站系统最关键的部件之一，一方面划分了通信的频段(接收目标频段内信号，过滤非目标频段信号)，另一方面影响了信号的能量衰减程度，它的性能对于基站系统来说至关重要。传统的宏基站因其承载功率高的要求，普遍采取金属腔体滤波器或腔体介质滤波器，但因5G小基站尺寸极大的缩小，且部署的数目也大幅度的增加，传统的金属腔体或腔体介质滤波器已不再适用。现有技术中亟需一种可承受高功率的射频声波谐振器，来解决5G小基站滤波器的功率和尺寸问题。

专利文献CN105244575B公开了一种新型介质腔体滤波器。所述介质腔体滤波器，通过设置在波导口处的波导同轴转换馈电结构，可实现波导同轴转换及滤除波导传输信号中高次模电磁波的目的，从而保障滤波器和后续微波射频器件的正常工作。该专利并不能很好地解决5G小基站滤波器的功率和尺寸问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种5G小型基站射频声波滤波器。

根据本发明提供的一种5G小型基站射频声波滤波器，包括：谐振器衬底1、谐振器压电层5、谐振器上电极以及反射构件；所述谐振器衬底1设置于5G小型基站射频声波滤波器的底部；所述谐振器衬底1的电阻大于设定阈值；所述谐振器衬底1支撑5G小型基站射频声波滤波器；所述谐振器衬底1的厚度为几十到几百微米左右；所述谐振器压电层5采用压电薄膜材料；所述谐振器上电极设置于5G小型基站射频声波滤波器的上部；所述反射构件设置于5G小型基站射频声波滤波器的中部；所述谐振器压电层5设置于5G小型基站射频声波滤波器的上部。

优选地，还包括：牺牲层2、保护层3、谐振器平板底电极4；所述反射构件采用空气反射腔7；所述牺牲层2形成于谐振器衬底1之上；所述牺牲层2为形成谐振器空气反射腔7而预先填充的材料，它的厚度即为空气反射腔的深度。所述牺牲层2的厚度与空气反射腔7的厚度相等；

优选地，所述谐振器衬底1能够采用以下任意一种材料：-蓝宝石；-碳化硅；-单晶硅；-高阻硅。所述牺牲层2采用以下任意一种材料：-用湿法刻蚀除去的材料；-用干法刻蚀除去的材料；所述保护层3形成于牺牲层2之中；所述保护层3通常采用不与湿法刻蚀反应且较易被抛光打磨的材料。保护层3是为了阻挡最后的刻蚀过程向左右方向进行，从而形成具有特定形状的空气反射腔。总结起来，牺牲层2和保护层3分别决定了空气反射腔的深度和形状，它们是空气反射腔的决定性结构。

优选地，所述谐振器平板底电极4采用平板结构；所述谐振器平板底电极4和谐振器平板上电极6之间形成激发电场；所述激发电场能够在谐振器压电层5激发出声波；所述谐振器平板底电极4采用以下任一种连接方式：-接地；-接电

所述谐振器平板底电极4采用金属薄膜材料；所述谐振器平板底电极4采用以下任一种材料：-钼薄膜材料；-钌薄膜材料；-铂金薄膜材料；所述谐振器平板底电极4的厚度小于设定阈值；所述谐振器平板底电极4可借助于干法刻蚀金属或金属剥离工艺实现，厚度为几十纳米到几百纳米之间。