[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010836511.2 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN113380781A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 田上政由 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于包括:

衬底;

第1绝缘膜,设置在所述衬底的上方;

第1配线,设置在所述第1绝缘膜内;

第1焊垫,在所述第1绝缘膜内,设置在所述第1配线上;

第2绝缘膜,设置在所述第1绝缘膜之上;

第2焊垫,在所述第2绝缘膜内,设置在所述第1焊垫上;以及

第2配线,在所述第2绝缘膜内,设置在的所述第2焊垫上;

所述第1焊垫包括:第1金属层以及第2金属层,所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内,所述第2金属层介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第2焊垫包括:第3金属层以及第4金属层,所述第3金属层设置在所述第2绝缘膜内,所述第4金属层介隔所述第3金属层设置在所述第2绝缘膜内且与所述第2配线直接相接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于进而包括:

设置在所述第1绝缘膜内的所述第1配线与所述第1焊垫之间的第1插塞,

所述第1插塞包括所述第1金属层、及与所述第1配线直接相接的所述第2金属层。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于进而包括:

设置在所述第2绝缘膜内的所述第2焊垫与所述第2配线之间的第2插塞,

所述第2插塞包括所述第3金属层、及与所述第2配线直接相接的所述第4金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第1配线包括:第5金属层以及第6金属层,所述第5金属层设置在所述第1绝缘膜内,所述第6金属层介隔所述第5金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第2金属层直接相接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:

所述第2金属层与所述第6金属层含有相同的金属元素。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第2配线包含:第7金属层以及第8金属层,所述第7金属层设置在所述第2绝缘膜内所述第8金属层介隔所述第7金属层设置在所述第2绝缘膜内且与所述第4金属层直接相接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:

所述第4金属层与所述第8金属层含有相同的金属元素。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第2金属层含有Cu。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于:

所述第2金属层进而含有Ti、Mn、Zn、Al、Sn、V、W中的至少一种元素。

11.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括:

在第1衬底的上方形成第1绝缘膜;

在所述第1绝缘膜内形成第1配线;

在所述第1绝缘膜内,在所述第1配线上形成第1焊垫;

在第2衬底的上方形成第2绝缘膜;

在所述第2绝缘膜内形成第2配线;

在所述第2绝缘膜内,在所述第2配线上形成第2焊垫;以及

通过将所述第1焊垫与所述第2焊垫贴合,而在所述第1焊垫上配置所述第2焊垫;

所述第1焊垫包括:第1金属层以及第2金属层,所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内,所述第2金属层介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接,

在所述第1焊垫的形成中,

在所述第1绝缘膜的侧面以及所述第1配线的上表面形成第1金属层,

使所述第1金属层残存在所述第1绝缘膜的侧面,且自所述第1配线的上表面去除所述第1金属层,而使所述第1配线露出,

在所述第1金属层的侧面以及所述第1配线的露出面形成第2金属层。

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