[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

衬底；

第1绝缘膜，设置在所述衬底的上方；

第1配线，设置在所述第1绝缘膜内；

第1焊垫，在所述第1绝缘膜内，设置在所述第1配线上；

第2绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜之上；

第2焊垫，在所述第2绝缘膜内，设置在所述第1焊垫上；以及

第2配线，在所述第2绝缘膜内，设置在的所述第2焊垫上；

所述第1焊垫包括：第1金属层以及第2金属层，所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内，所述第2金属层介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2焊垫包括：第3金属层以及第4金属层，所述第3金属层设置在所述第2绝缘膜内，所述第4金属层介隔所述第3金属层设置在所述第2绝缘膜内且与所述第2配线直接相接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于进而包括：

设置在所述第1绝缘膜内的所述第1配线与所述第1焊垫之间的第1插塞，

所述第1插塞包括所述第1金属层、及与所述第1配线直接相接的所述第2金属层。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于进而包括：

设置在所述第2绝缘膜内的所述第2焊垫与所述第2配线之间的第2插塞，

所述第2插塞包括所述第3金属层、及与所述第2配线直接相接的所述第4金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第1配线包括：第5金属层以及第6金属层，所述第5金属层设置在所述第1绝缘膜内，所述第6金属层介隔所述第5金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第2金属层直接相接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2金属层与所述第6金属层含有相同的金属元素。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2配线包含：第7金属层以及第8金属层，所述第7金属层设置在所述第2绝缘膜内所述第8金属层介隔所述第7金属层设置在所述第2绝缘膜内且与所述第4金属层直接相接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

所述第4金属层与所述第8金属层含有相同的金属元素。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2金属层含有Cu。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2金属层进而含有Ti、Mn、Zn、Al、Sn、V、W中的至少一种元素。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

在第1衬底的上方形成第1绝缘膜；

在所述第1绝缘膜内形成第1配线；

在所述第1绝缘膜内，在所述第1配线上形成第1焊垫；

在第2衬底的上方形成第2绝缘膜；

在所述第2绝缘膜内形成第2配线；

在所述第2绝缘膜内，在所述第2配线上形成第2焊垫；以及

通过将所述第1焊垫与所述第2焊垫贴合，而在所述第1焊垫上配置所述第2焊垫；

所述第1焊垫包括：第1金属层以及第2金属层，所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内，所述第2金属层介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接，

在所述第1焊垫的形成中，

在所述第1绝缘膜的侧面以及所述第1配线的上表面形成第1金属层，

使所述第1金属层残存在所述第1绝缘膜的侧面，且自所述第1配线的上表面去除所述第1金属层，而使所述第1配线露出，

在所述第1金属层的侧面以及所述第1配线的露出面形成第2金属层。