[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202010836511.2 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN113380781A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 田上政由 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于包括:
衬底;
第1绝缘膜,设置在所述衬底的上方;
第1配线,设置在所述第1绝缘膜内;
第1焊垫,在所述第1绝缘膜内,设置在所述第1配线上;
第2绝缘膜,设置在所述第1绝缘膜之上;
第2焊垫,在所述第2绝缘膜内,设置在所述第1焊垫上;以及
第2配线,在所述第2绝缘膜内,设置在的所述第2焊垫上;
所述第1焊垫包括:第1金属层以及第2金属层,所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内,所述第2金属层介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接的。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述第2焊垫包括:第3金属层以及第4金属层,所述第3金属层设置在所述第2绝缘膜内,所述第4金属层介隔所述第3金属层设置在所述第2绝缘膜内且与所述第2配线直接相接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于进而包括:
设置在所述第1绝缘膜内的所述第1配线与所述第1焊垫之间的第1插塞,
所述第1插塞包括所述第1金属层、及与所述第1配线直接相接的所述第2金属层。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于进而包括:
设置在所述第2绝缘膜内的所述第2焊垫与所述第2配线之间的第2插塞,
所述第2插塞包括所述第3金属层、及与所述第2配线直接相接的所述第4金属层。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述第1配线包括:第5金属层以及第6金属层,所述第5金属层设置在所述第1绝缘膜内,所述第6金属层介隔所述第5金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第2金属层直接相接。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:
所述第2金属层与所述第6金属层含有相同的金属元素。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述第2配线包含:第7金属层以及第8金属层,所述第7金属层设置在所述第2绝缘膜内所述第8金属层介隔所述第7金属层设置在所述第2绝缘膜内且与所述第4金属层直接相接。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:
所述第4金属层与所述第8金属层含有相同的金属元素。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述第2金属层含有Cu。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于:
所述第2金属层进而含有Ti、Mn、Zn、Al、Sn、V、W中的至少一种元素。
11.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括:
在第1衬底的上方形成第1绝缘膜;
在所述第1绝缘膜内形成第1配线;
在所述第1绝缘膜内,在所述第1配线上形成第1焊垫;
在第2衬底的上方形成第2绝缘膜;
在所述第2绝缘膜内形成第2配线;
在所述第2绝缘膜内,在所述第2配线上形成第2焊垫;以及
通过将所述第1焊垫与所述第2焊垫贴合,而在所述第1焊垫上配置所述第2焊垫;
所述第1焊垫包括:第1金属层以及第2金属层,所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内,所述第2金属层介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接,
在所述第1焊垫的形成中,
在所述第1绝缘膜的侧面以及所述第1配线的上表面形成第1金属层,
使所述第1金属层残存在所述第1绝缘膜的侧面,且自所述第1配线的上表面去除所述第1金属层,而使所述第1配线露出,
在所述第1金属层的侧面以及所述第1配线的露出面形成第2金属层。
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