[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

申请号：	202010836511.2	申请日：	2020-08-19
公开（公告）号：	CN113380781A	公开（公告）日：	2021-09-10
发明（设计）人：	田上政由	申请（专利权）人：	铠侠股份有限公司
主分类号：	H01L25/18	分类号：	H01L25/18;H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	张世俊
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置及其制造方法
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【说明书】：

实施方式提供一种能够形成适合于贴合的焊垫的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底、设置在所述衬底的上方的第1绝缘膜、设置在所述第1绝缘膜内的第1配线、在所述第1绝缘膜内，设置在所述第1配线上的第1焊垫、设置在所述第1绝缘膜的上的第2绝缘膜、在所述第2绝缘膜内，设置在所述第1焊垫上的第2焊垫、及在所述第2绝缘膜内，设置在所述第2焊垫上的第2配线。所述第1焊垫包含设置在所述第1绝缘膜内的第1金属层、及介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接的第2金属层。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2020-29644号(申请日：2020年2月25日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

在将多个晶片的金属焊垫贴合制造半导体装置的情况下，期望形成适合于贴合的金属焊垫。

发明内容

实施方式提供一种能够形成适合于贴合的焊垫的半导体装置及其制造方法。

根据一实施方式，半导体装置具备衬底、设置在所述衬底的上方的第1绝缘膜、设置在所述第1绝缘膜内的第1配线、在所述第1绝缘膜内，设置在所述第1配线上的第1焊垫、设置在所述第1绝缘膜之上的第2绝缘膜、在所述第2绝缘膜内，设置在所述第1焊垫上的第2焊垫、及在所述第2绝缘膜内，设置在所述第2焊垫上的第2配线。所述第1焊垫包含设置在所述第1绝缘膜内的第1金属层、及介隔所述第1金属层设置在所述第1绝缘膜内且与所述第1配线直接相接的第2金属层。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的构造的剖视图。

图2是表示第1实施方式的柱状部的构造的剖视图。

图3是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图4(a)、(b)是表示第1实施方式的半导体装置的构造的其它剖视图。

图5(a)、(b)是表示第1实施方式的比较例的半导体装置的构造的剖视图。

图6(a)及(b)、图7(a)及(b)、图8(a)及(b)、图9(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图10(a)及(b)、图11(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的第1例的剖视图。

图12(a)及(b)、图13(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的第2例的剖视图。

图14(a)、(b)是用来将第1实施方式的半导体装置与其比较例的半导体装置进行比较的俯视图。

图15(a)、(b)是表示用来将第1实施方式的半导体装置与其比较例的半导体装置进行比较的其它俯视图。

图16(a)、(b)是表示第2实施方式的半导体装置的构造的剖视图。