[发明专利]非对称输入输出结构

权利要求书

1.一种非对称输入输出结构，其特征在于，包括：

第一电源节点和第二电源节点，分别连接第一电压和第二电压；

上拉单元和下拉单元，所述上拉单元和所述下拉单元连接于所述第一电源节点和所述第二电源节点之间，所述上拉单元和所述下拉单元之间的节点连接输入/输出节点；

其中，所述上拉单元包括一个或多个上拉晶体管，所述下拉单元包括一个或多个下拉晶体管，并且所述上拉晶体管和所述下拉晶体管的个数不同，所述第一电压高于所述第二电压。

2.如权利要求1所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述上拉单元包括第一上拉晶体管，所述下拉单元包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，其中，所述上拉晶体管是PMOS晶体管，所述下拉晶体管是NMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的非对称输入输出结构，其特征在于，

所述第一上拉晶体管的源极连接所述第一电源节点，漏极连接所述输入/输出节点，所述第一上拉晶体管导通时其栅极连接地电压，截止时其栅极连接所述第一电压；

所述第一下拉晶体管的源极连接所述第二电源节点，漏极连接所述第二下拉晶体管的源极，所述第一下拉晶体管导通时其栅极连接最大工作电压，截止时其栅极连接所述地电压；

所述第二下拉晶体管的漏极连接所述输入/输出节点，栅极连接所述最大工作电压，或：所述第二下拉晶体管导通时其栅极连接所述第一电压，截止时其栅极连接所述第一电压与所述最大工作电压之间的差值电压。

4.如权利要求3所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述第一电压大于所述最大工作电压。

5.如权利要求2所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管分别由一个或多个并联的晶体管的形成。

6.如权利要求1所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述上拉单元包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，所述下拉单元包括第一下拉晶体管，所述上拉晶体管是PMOS晶体管，所述下拉晶体管是NMOS晶体管。

7.如权利要求6所述的非对称输入输出结构，其特征在于，

所述第一上拉晶体管的源极连接所述第一电源节点，漏极连接所述第二上拉晶体管的源极，所述第一上拉晶体管导通时其栅极连接所述第一电压与最大工作电压之间的差值电压，截止时其栅极连接所述第一电压；

所述第二上拉晶体管的漏极连接所述输入/输出节点，栅极连接所述第一电压与所述最大工作电压之间的差值电压，或：所述第二上拉晶体管导通时其栅极连接所述第一电压与所述最大工作电压之间的差值电压，截止时其栅极连接所述第一电压；

所述第一下拉晶体管的源极连接所述第二电源节点，漏极连接所述输入/输出节点，所述第一下拉晶体管导通时其栅极连接所述第一电压，截止时其栅极连接所述地电压。

8.如权利要求7所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述第一电压大于所述最大工作电压。

9.如权利要求6所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述第一上拉晶体管、所述第二上拉晶体管和所述第一下拉晶体管分别由一个或多个并联的晶体管的形成。

10.如权利要求1所述的非对称输入输出结构，其特征在于，所述上拉单元和所述下拉单元之间的节点通过电阻器连接所述输入/输出节点。