[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010837087.3 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112687621A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;林立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华;傅磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：
在一半导体基底上形成一虚设栅极堆叠；
在该虚设栅极堆叠的一侧壁上形成一间隙物元件，其中该间隙物元件具有一内间隙物和一虚设间隙物，且该内间隙物在该虚设间隙物与该虚设栅极堆叠之间；
形成一介电层环绕该间隙物元件和该虚设栅极堆叠；
以一金属栅极堆叠取代该虚设栅极堆叠；
移除该间隙物元件的该虚设间隙物以在该内间隙物与该介电层之间形成一凹槽；以及
形成一密封元件以密封该凹槽，使得该金属栅极堆叠与该介电层之间形成一密封孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
