[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底以及形成于该衬底上的外延层(100)，该外延层(100)上设置有栅极(200)，栅极(200)侧壁上形成有阻挡层(210)；基础结构还包括覆盖在外延层(100)上并分别与栅极(200)、阻挡层(210)齐高的第一介电层(300)，覆盖形成于栅极(200)、第一介电层(300)以及阻挡层(210)上的掩蔽层(400)以及覆盖形成于掩蔽层(400)上的第二介电层(500)；

步骤S2、在第二介电层(500)上涂布光刻胶(600)；

步骤S3、利用光刻胶(600)通过光刻工艺，在基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)，然后去掉光刻胶(600)；

步骤S4、采用旋转涂布材料填充蚀刻孔(700)，从而在蚀刻孔(700)中形成填充体(710)；

步骤S5、对填充体(710)进行蚀刻；并保留填充体(710)的位于蚀刻孔(700)底部的一部分，以此作为支撑体(720)；

步骤S6、通过ALD技术，在第二介电层(500)顶面、支撑体(720)顶面以及蚀刻孔(700)的位于支撑体(720)上方的内壁上沉积形成ALD层(910)；

步骤S7、通过蚀刻技术，将ALD层(910)的覆盖在第二介电层(500)顶面、支撑体(720)顶面上的部分蚀刻掉，同时剥除支撑体(720)；

步骤S8、在蚀刻孔(700)中填充形成金属接触件(800)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，支撑体(720)顶面的高度低于栅极(200)顶面的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，阻挡层(210)由以下材料制成：SiN、SiCN、SiO₂、SiOC、SiOCN或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，ALD层(910)为介电材料制成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，金属接触件(800)由钨、铜、铝或它们的组合制成。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括基础结构，基础结构包括衬底以及形成于该衬底上的外延层(100)，该外延层(100)上设置有栅极(200)，栅极(200)侧壁上形成有阻挡层(210)；基础结构还包括覆盖在外延层(100)上并分别与栅极(200)、阻挡层(210)齐高的第一介电层(300)，覆盖形成于栅极(200)、第一介电层(300)以及阻挡层(210)上的掩蔽层(400)以及覆盖形成于掩蔽层(400)上的第二介电层(500)；

基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成有与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)；蚀刻孔(700)内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层(910)；蚀刻孔(700)中填充形成有金属接触件(800)。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，ALD层(910)底面高度低于栅极(200)顶面高度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，阻挡层(210)由以下材料制成：SiN、SiCN、SiO₂、SiOC、SiOCN或它们的组合。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，ALD层(910)为介电材料制成。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，金属接触件(800)由钨、铜、铝等或它们的组合制成。