[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提出了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基础结构；基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成有与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)；蚀刻孔(700)内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层(910)；蚀刻孔(700)中填充形成有金属接触件(800)。本发明的半导体器件及其制造方法设计新颖，实用性强。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件通常通过以下步骤来制造：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化该多个材料层，以在其上形成电路组件和元件。

图1示出了一种现有半导体器件的制造方法的第一步骤状态示意图；图2示出了图1所示的制造方法的第二步骤状态示意图；图3示出了图1所示的制造方法的第三步骤状态示意图；该半导体器件的制造方法包括：步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底(图中未示出)以及形成于该衬底上的外延层100，该外延层100上设置有栅极200，栅极200侧壁上形成有阻挡层210，基础结构还包括覆盖在外延层100上并分别与栅极200、阻挡层210齐高的第一介电层300，覆盖形成于栅极200、第一介电层300以及阻挡层210上的掩蔽层400以及覆盖形成于掩蔽层400上的第二介电层500；步骤S2、在第二介电层500上涂布光刻胶600，如图1所示；步骤S3、利用光刻胶600通过光刻工艺，在基础结构的位于栅极200附近的位置上蚀刻形成与外延层100相接的蚀刻孔700，然后去掉光刻胶600，如图2所示；步骤S4、在蚀刻孔700中形成带有隔离层810的金属接触件800，如图3所示。隔离层810一般采用Ti或TiN。对于该制造方法，由于在蚀刻孔700的与外延层100相接的窗口的形成过程中，掩蔽层400也会同时进行腐蚀，所以，两者需要进行权衡。

图4示出了另一种现有半导体器件的制造方法的第一步骤状态示意图；图5示出了图4所示的制造方法的第二步骤状态示意图；图6示出了图4所示的制造方法的第三步骤状态示意图；图7示出了图4所示的制造方法的第四步骤状态示意图；图8示出了图4所示的制造方法的第五步骤状态示意图。该半导体器件的制造方法包括：步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底(图中未示出)以及形成于该衬底上的外延层100，该外延层100上设置有栅极200，栅极200侧壁上形成有阻挡层210，基础结构还包括覆盖在外延层100上并分别与栅极200、阻挡层210齐高的第一介电层300，覆盖形成于栅极200、第一介电层300以及阻挡层210上的掩蔽层400以及覆盖形成于掩蔽层400上的第二介电层500；步骤S2、在第二介电层500上涂布光刻胶600，如图4所示；步骤S3、利用光刻胶600通过光刻工艺，在基础结构的位于栅极200附近的位置上蚀刻形成与外延层100相接的蚀刻孔700，然后去掉光刻胶600，如图5所示；步骤S4、通过ALD(原子层沉积)技术，在蚀刻孔700内壁沉积形成SiN层900，如图6所示；步骤S5、通过蚀刻技术，将SiN层900位于蚀刻孔700孔底的部分蚀刻掉，如图7所示；步骤S6、在蚀刻孔700中形成带有隔离层810的金属接触件800，如图8所示。隔离层810一般采用Ti或TiN。对于该制造方法，由于采用了ALD(原子层沉积)技术，造成蚀刻孔700直径缩小，尤其是缩小了蚀刻孔700与外延层100相接的窗口；采用了两次蚀刻步骤，对外延层100造成了两次损伤。

发明内容

本发明的目的是针对上述技术问题，提出一种半导体器件及其制造方法。

本发明解决其技术问题的技术方案是：

本发明提出了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底以及形成于该衬底上的外延层，该外延层上设置有栅极，栅极侧壁上形成有阻挡层；基础结构还包括覆盖在外延层上并分别与栅极、阻挡层齐高的第一介电层，覆盖形成于栅极、第一介电层以及阻挡层上的掩蔽层以及覆盖形成于掩蔽层上的第二介电层；

步骤S2、在第二介电层上涂布光刻胶；