[发明专利]一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法有效
申请号: | 202010840813.7 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN111976039B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 王春生;庞从武 | 申请(专利权)人: | 苏州安洁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B28D5/00;B28D7/04 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 王会 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 损耗 电感 纳米 晶圆刀 冲压 方法 | ||
1.一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法,其特征在于,通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压,所述纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴,包括第一压轴、第二压轴、第三压轴、第四压轴、第五压轴、第六压轴、第七压轴、第八压轴、第九压轴、第十压轴、第十一压轴、第十二压轴和第十三压轴,第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面,与其它轴面和料带不接触;
纳米晶走料方式为从下料开始全程直走,无弯折走料;
所述冲压方法包括以下步骤:
步骤一、第一压轴上料纳米晶,收卷自带膜,纳米晶底面自带膜复合AJ-0502料带;
步骤二、第二压轴冲压纳米晶外形A刀,收卷冲切后的废边;
步骤三、第四压轴采用降面轴,底轴为空轴,上轴叠刀下复合料FT BM005SP-ESD并冲压导热膜FT BM005SP-ESD外形B刀后收卷废料;
步骤四、第三压轴作为叠刀复合FT BM005SP-ESD外形轴,下料封箱胶带,收卷多余的废料;
步骤五、第五压轴收卷AJ-0502料带以及纳米晶自带膜;
步骤六、第七压轴上轴采用降面轴,下轴为C刀冲压L36Y23L8-004E无胶区,从最底轴复合料带3601-LL叠刀上料并冲压无胶区后收卷纳米晶自带膜废边;
步骤七、第六压轴下料FTBM005SP-ESD,并收卷纳米晶自带膜废边后与纳米晶贴合走料;
步骤八、第八压轴收卷T5025-002G;
步骤九、第九压轴复合轻膜;
步骤十、第十压轴冲压产品成型刀D刀并排去废边;
步骤十一、第十一压轴下料封箱胶带并排去剩余的废边;
步骤十二、第十二压轴下料PET5005;
步骤十三、第十三压轴冲压E刀切片,随后通过第十四压轴收取产品。
2.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法,其特征在于,步骤二中,第二压轴冲压纳米晶外形A刀,通过二条5mm宽的PT253收卷冲切后的废边。
3.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法,其特征在于,步骤三中,第四压轴叠刀下料JZ24R1-5PEW FTBM005SP-ESD T5025-002G复合料并冲压导热膜FTBM005SP-ESD外形B刀后收卷废料。
4.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法,其特征在于,步骤六中,第七压轴从底轴叠刀上料L36Y23L8-004E及料带3601-LL并冲压无胶区后收卷自带膜废边。
5.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法,其特征在于,步骤九中,第九压轴复合轻膜AJ-6-025W6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州安洁科技股份有限公司,未经苏州安洁科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010840813.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造