[发明专利]一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法

说明书

本发明一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料。本发明提供的无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，将常规压轴换成与料带不接触的降面轴，减少压轴对纳米晶造成的压力，避免碎磁，纳米晶走料始终保持直线走料，底轴叠刀，有效避免因角度弯折拉料造成的碎磁等，走料更为平稳，减少不良外观现象，纳米晶走料全程降低各压轴之间的张力，避免张力过大造成碎磁，共通过14根轴即可满足制程需求，比常规采用的16根轴少用2轴，降低成本。

技术领域

本发明属于模切技术领域，具体涉及一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法。

背景技术

模切产品在汽车制造领域、电子行业领域等得到迅猛发展，随着经济社会的快速发展，模切方法从传统的对印刷品的模切逐渐扩展到对电子产品的辅助材料的生产，例如通过模切工艺制备用于电子产品粘结、绝缘材料、防尘、防震、绝缘、屏蔽的胶粘制品和膜类制品。如图1所示，现有冲压工艺对纳米晶进行冲压时，需要采用16根刀轴，具体步骤如下：

第一轴L36Y23L8-004E下料，第二轴冲压无胶区A刀并收卷自带膜废边；第三轴下料FTBM005SP-ESD，并收卷自带膜废边；第四轴为叠刀冲压完纳米晶后与冲压完A刀的L36Y23L8-004E复合；第五轴冲压纳米晶外形B刀，并收卷废边；第六轴叠刀下料纳米晶加底膜料带AJ-0502并收卷自带膜；第七轴收卷AJ0502、纳米晶自带膜；第八轴用封箱胶带沾去多余的废料后与纳米晶复合；第九轴叠刀下料JZ24R1-5PEW+FTBM005SP-ESD+T5025-002G复合料后冲压导热膜C刀并排去废料；第十轴收卷T5025-002G；第十一轴复合轻膜AJ-6-025W6；第十二轴冲压产品成型刀D刀并排去废边；第十三轴下料封箱胶带并排去剩余的废边；第十四轴下料pet5005；第十五轴冲压E刀切片；第十六轴收取产品。圆刀在切料过程中，压轴会压到纳米晶造成二次碎磁，降低了纳米晶电感，而且采用弯折走料方式，不良率较高，成本较为高昂。

发明内容

为解决现有技术中存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法。

为实现上述目的，达到上述技术效果，本发明采用的技术方案为：

一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，所述纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，包括第一压轴、第二压轴、第三压轴、第四压轴、第五压轴、第六压轴、第七压轴、第八压轴、第九压轴、第十压轴、第十一压轴、第十二压轴和第十三压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；

纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料；

所述冲压方法包括以下步骤：

步骤一、第一压轴上料纳米晶，收卷自带膜，纳米晶底面自带膜复合AJ-0502料带；

步骤二、第二压轴冲压纳米晶外形A刀，收卷冲切后的废边；

步骤三、第四压轴采用降面轴，底轴为空轴，上轴叠刀下复合料FT BM005SP-ESD并冲压导热膜FT BM005SP-ESD外形B刀后收卷废料；

步骤四、第三压轴作为叠刀复合FT BM005SP-ESD外形轴，下料封箱胶带，收卷多余的废料；

步骤五、第五压轴收卷AJ-0502料带以及纳米晶自带膜；

步骤六、第七压轴上轴采用降面轴，下轴为C刀冲压L36Y23L8-004E无胶区，从最底轴复合料带3601-LL叠刀上料并冲压无胶区后收卷纳米晶自带膜废边；

步骤七、第六压轴下料FTBM005SP-ESD，并收卷纳米晶自带膜废边后与纳米晶贴合走料；