[发明专利]包含防篡改集成电路的设备和相关方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

集成电路内的材料，所述材料耦接到所述集成电路的供电电压并且被配置成响应于暴露于氧气、电磁辐射或两者而表现出至少一种电特性的变化；以及

所述集成电路内的传感器，所述传感器被配置成标识所述材料的所述至少一种电特性的所述变化并且响应于所述材料的所述至少一种电特性的所述变化而生成输出信号。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料耦接到第一节点和第二节点，所述第一节点被配置成接收所述供电电压，所述第二节点被配置成接收输入电压，所述输入电压包括跨所述材料的所述供电电压的电压降，其中所述传感器被配置成至少部分地基于所述输入电压与参考电压的比较标识所述材料的所述至少一种电特性的所述变化。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料被配置成响应于暴露于氧气而表现出电阻变化。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料包括金属。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料包括钛。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料被配置成响应于暴露于氧气而表现出电阻增加。

7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括另一种材料，所述另一种材料耦接到所述供电电压并且被配置成响应于暴露于电磁辐射或氧气中的另一个而表现出所述至少一种电特性的变化。

8.根据权利要求7所述的设备，其中：

所述另一种材料与所述材料共用界面；并且

所述材料耦接到被配置成接收所述供电电压的第一节点，并且所述另一种材料耦接到被配置成接收输入电压的第二节点，其中所述传感器被配置成至少部分地基于所述输入电压与参考电压的比较标识所述材料的所述至少一种电特性的所述变化。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述另一种材料和所述材料在物理上彼此分离，并且所述材料和所述另一种材料中的每种材料耦接到被配置成接收所述供电电压的节点并且耦接到用于接收输入电压的节点。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的设备，其进一步包括逻辑，所述逻辑被配置成响应于所述传感器的所述输出信号而损坏存储于所述集成电路中的数据。

11.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的设备，其进一步包括至少一种材料，所述至少一种材料被调配和配置成响应于所述传感器的所述输出信号而破坏所述集成电路的至少一部分。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述至少一种材料包括至少一种蚀刻剂，所述至少一种蚀刻剂被调配和配置成去除金属线的至少一种金属的至少一部分。

13.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的设备，其进一步包括比较器，所述比较器被配置成响应于所述至少一种电特性的所述变化而使所述输出信号反相。

14.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的设备，其中所述传感器包括差分放大器，所述输出信号包括第一节点处的输入电压与参考电压之差。

15.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的设备，其进一步包括熔丝，所述熔丝定位于被配置成接收供电电压的节点与所述材料之间。