[发明专利]包含防篡改集成电路的设备和相关方法在审

专利信息
申请号: 202010840838.7 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112420620A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: D·C·马杰鲁斯;S·D·万德格拉夫;M·N·洛克莱 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;G06F21/75
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 篡改 集成电路 设备 相关 方法
【说明书】:

本申请涉及包含防篡改集成电路的设备和相关方法。描述了与防篡改集成电路有关的系统、设备和方法。所述防篡改集成电路包含防篡改特征,所述防篡改特征包含防篡改材料,所述防篡改材料被调配或配置成响应于暴露于氧气、电磁辐射或其它环境条件而表现出至少一种电特性的变化。响应于所述至少一种电特性的变化,可以擦除定位于所述集成电路内的数据,或者可以破坏所述集成电路的至少一部分。在一些实例中,可以测量防篡改特征的一或多种电特性。电特性的变化可以指示相关联的集成电路已被篡改。

优先权要求

本申请要求于2019年8月21日提交的题为“防篡改集成电路和相关方法(Tamper-Resistant Integrated Circuits,and Related Methods)”的美国专利申请序列号16/547,289的提交日期的权益。

技术领域

本文公开的实施例涉及包含一或多个防篡改特征的设备和集成电路,并且涉及相关方法。更具体地,本公开的实施例涉及包括集成电路的设备(例如,微电子装置)和相关方法,所述集成电路包含一或多个防篡改特征,所述一或多个防篡改特征被调配和配置成响应于暴露于氧气、电磁辐射或两者而表现出至少一种电特性的变化。

背景技术

微电子装置可以包含设计成执行各种功能和过程的集成电路。包含处理器、逻辑电路、易失性存储器、非易失性存储器和其它组件的集成电路包含集成电路的存储器中的有用信息,如机密信息、隐私信息或个人信息。另外,集成电路能够执行高级处理和数据保留。如此,集成电路可以包含信号处理器、列解码器、读出放大器、寻址组件(例如,列寻址器、行寻址器)、多路复用器、字线驱动器、解码器(例如,列解码器)、全局时钟和定时信号、自刷新和耗损均衡装置以及其它组件、逻辑和电路系统。集成电路和相关联的微电子装置的各种功能的执行取决于上述信号处理器、解码器、读出放大器、寻址组件、多路复用器、字线驱动器、全局时钟和定时信号、自刷新和耗损均衡装置以及其它组件的具体性能。

由集成电路保存的数据通常包含与集成电路的操作有关的数据,包含信号路径和互连件、定时、逻辑合成和门级网表获取以及与集成电路的逻辑和操作有关的其它数据。例如,系统的固件(编程到只读存储器中的永久软件)包含关于系统的操作和定时的信息并且通常嵌入在非易失性存储器中。

发明内容

在一些实施例中,一种设备包括:集成电路内的材料,所述材料耦接到所述集成电路的供电电压并且被配置成响应于暴露于氧气、电磁辐射或两者而表现出至少一种电特性的变化,以及所述集成电路内的传感器,所述传感器被配置成标识所述材料的所述至少一种电特性的所述变化并且响应于所述材料的所述至少一种电特性的所述变化而生成输出信号。

在其它实施例中,一种设备包括电阻器,所述电阻器位于集成电路内并且耦接于第一节点与第二节点之间,所述第一节点被耦接以接收供电电压,所述电阻器包括材料,所述材料被调配和配置成响应于暴露于氧气、暴露于电磁辐射或两者而表现出至少一种电特性的变化。所述设备进一步包括第三节点和传感器,所述传感器位于所述集成电路内并且被配置成比较所述第三节点处的参考电压与所述第二节点处的输入电压。

在又其它实施例中,一种方法包括在耦接到电阻器的第一端的第一节点处施加供电电压,以在耦接到所述电阻器的第二端的第二节点处生成输入电压,所述电阻器包括材料,所述材料被调配和配置成响应于暴露于氧气、电磁辐射或两者而表现出电阻变化。所述方法进一步包括:利用传感器至少部分地基于所述输入电压与所述电阻器处的参考电压之间的相对变化来标识所述材料的至少一种电特性的变化,以及利用所述传感器响应于所标识的所述至少一种电特性的变化而生成输出信号。

附图说明

图1A是根据本公开的实施例的包含防篡改特征的集成电路的简化框图;

图1B是根据本公开的实施例的防篡改特征的简化横截面视图;

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