[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010841675.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113410292A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 野村一城 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
半导体基板，所述半导体基板具有基板底面和基板上表面，在所述基板底面具有凹部；
半导体元件，所述半导体元件设置于所述凹部之上；以及
第1电极，所述第1电极设置于所述凹部内，
所述凹部具有凹部侧面和凹部上表面，所述凹部侧面与所述凹部上表面所成的角为90度以上，
所述第1电极的膜厚为所述凹部的深度的1/2以上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1电极的膜厚比设置有所述凹部的部分的所述半导体基板的基板厚厚。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，设置有所述凹部的部分的所述半导体基板的基板厚为100μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，未设置所述凹部的部分的所述基板底面的长度为所述基板上表面的长度的1/4以下。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1电极遍及所述凹部上表面、所述凹部侧面及所述基板底面而设置。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1电极的膜厚比与所述基板底面相接的所述第1电极的部分的膜厚的2倍大。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1电极具有含有第1元素的第1层和设置于所述第1层之上且含有与所述第1元素不同的第2元素的第2层。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第1电极进一步具有设置于所述第1层与所述第2层之间且含有Ti(钛)或Ta(钽)的第3层。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1电极在与所述凹部侧面及所述凹部上表面相接的部分具有阻挡金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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