[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置为下述半导体装置具备：具有基板底面和基板上表面且在基板底面具有凹部的半导体基板、设置于凹部之上的半导体元件以及设置于凹部内的第1电极，凹部具有凹部侧面和凹部上表面，凹部侧面与凹部上表面所成的角为90度以上，第1电极的膜厚为凹部的深度的1/2以上。

关联申请

本申请享有以日本专利申请2020-45118号(申请日：2020年3月16日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

进行了设计用于面向发电或送电、泵或鼓风机等的旋转机、通信系统或工厂等的电源装置、利用交流马达的铁道、电动汽车、家庭用电化制品等广泛领域的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等的电力控制的功率半导体芯片的开发。

另外，进行了使用了所述功率半导体芯片的作为功率模块的半导体装置的开发。对于这样的半导体装置，要求高电流密度化、低损耗化、高放热化等技术条件。

发明内容

本发明的实施方式提供可靠性高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：半导体基板，所述半导体基板具有基板底面和基板上表面，在基板底面具有凹部；半导体元件，所述半导体元件设置于凹部之上；以及第1电极，所述第1电极设置于凹部内，凹部具有凹部侧面和凹部上表面，凹部侧面与凹部上表面所成的角为90度以上，第1电极的膜厚为凹部的深度的1/2以上。

附图说明

图1(a)～(c)是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图、示意截面图及示意仰视图。

图2(a)～(f)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法中的制造中途的半导体装置的示意截面图。

图3是成为第1实施方式的比较方式的半导体装置的示意截面图。

图4是第2实施方式的半导体装置的示意截面图。

图5(a)、(b)是第3实施方式的半导体装置的示意截面图。

图6是第4实施方式的半导体装置的示意截面图。

具体实施方式

以下，参照附图且对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，在以下的说明中，有时对同一或类似的构件标注同一符号。另外，对于一度说明的构件等有时适当省略其说明。

本说明书中，为了表示部件等的位置关系，将附图的上方记述为“上”，将附图的下方记述为“下”。本说明书中，“上”、“下”的概念未必是表示与重力的方向的关系的术语。

(第1实施方式)

本实施方式的半导体装置具备：具有基板底面和基板上表面且在基板底面具有凹部的半导体基板、设置于凹部之上的半导体元件以及设置于凹部内的第1电极，凹部具有凹部侧面和凹部上表面，凹部侧面与凹部上表面所成的角为90度以上，第1电极的膜厚为凹部的深度的1/2以上。

图1是本实施方式的半导体装置100的示意截面图。

图1(a)是本实施方式的半导体装置100的示意俯视图。图1(b)是本实施方式的半导体装置100的示意截面图。图1(c)是本实施方式的半导体装置100的示意仰视图。

使用图1，对本实施方式的半导体装置100进行说明。