[发明专利]一种高钙硅比加气砖的制备方法及其制备的高钙硅比加气砖有效

专利信息
申请号: 202010844214.2 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN114075084B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 梅小明;孟礼元;李勇 申请(专利权)人: 四川滨水上锦绿色建材有限公司
主分类号: C04B38/02 分类号: C04B38/02;C04B28/12;C04B40/02;C04B111/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611530 四川省成都市邛崃市天*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 高钙硅 加气砖 制备 方法 及其
【权利要求书】:

1.一种高钙硅比加气砖的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1预晶化:称取预晶化原料,混合均匀,转入高压反应釜,密封,加热至160-180℃晶化4-7hr,降至室温,抽滤,将滤饼于60-120℃干燥120-250min,制得硅酸钙晶化复合物;所述预晶化原料包括以下重量份原料:硅酸钠2.5-3份,生石灰粉0.2-0.3份,水6-9份,氢氧化钾0.6-0.9份;

S2混料:称取加气砖粉料,加入0.2-0.8重量份的步骤S1制得的硅酸钙晶化复合物,混合均匀,制得混合料;所述加气砖粉料包括以下重量份原料:砂子120-200份,固体硅胶20-50份,白炭黑20-40份,石膏10-20份,生石灰粉120-150份,水泥20-50份;

S3制浆:向混合料中加入80-120重量份的水,以100-400转/分钟的转速搅拌5-10min,加入0.2-0.5重量份的铝粉,继续搅拌2-4min,制得料浆;

S4发泡静停:将料浆注入模具中,室温发泡30-50min,然后在环境温度为50-60℃条件下静停200-280min,制得胚体;

S5蒸汽养护:将胚体切割成加气块,将加气块转入蒸压釜中,于170-190℃水蒸汽中养护300-360min,制得加气砖;

所述硅酸钠为九水偏硅酸钠,所述预晶化原料还包括0.05-0.1重量份的乙醇;

所述加气砖粉料还包括0.2-0.5重量份的磷酸十二醇酯。

2.根据权利要求1所述的一种高钙硅比加气砖的制备方法,其特征在于,所述步骤S2-S3中使用的原料按如下重量份配比投料:硅酸钙晶化复合物0.4-0.6份,砂子150-180份,固体硅胶30-40份,白炭黑25-35份,石膏10-20份,生石灰粉120-150份,水泥30-40份,水95-105份,铝粉0.2-0.5份。

3.根据权利要求1所述的一种高钙硅比加气砖的制备方法,其特征在于:所述步骤S1称取预晶化原料,混合均匀,转入高压反应釜,密封,以200-500转/分钟的转速搅拌,加热至170-190℃晶化4-7hr,降至室温,抽滤,将滤饼于60-120℃干燥120-250min,制得干料,将干料粉碎至粒径不大于20μm为止,制得硅酸钙晶化复合物。

4.根据权利要求3所述的一种高钙硅比加气砖的制备方法,其特征在于:所述加气砖粉料还包括0.1-0.4重量份的醋酸酯淀粉。

5.根据权利要求1所述的一种高钙硅比加气砖的制备方法,其特征在于:所述砂子的粒径为不大于200μm,所述固体硅胶的粒径为不大于50μm。

6.根据权利要求1所述的一种高钙硅比加气砖的制备方法,其特征在于:所述步骤S5将胚体切割成加气块,将加气块转入蒸压釜中,抽真空至-0.09至-0.07MPa,通入水蒸汽,控制水蒸汽通入量使蒸压釜以40-60℃/h的升温速率升温至170-190℃,保温养护300-360min,制得加气砖。

7.一种高钙硅比加气砖,其特征在于:由权利要求1-6任意一项所述的一种高钙硅比加气砖的制备方法制得。

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