[发明专利]一种高钙硅比加气砖的制备方法及其制备的高钙硅比加气砖

说明书

本发明公开了一种高钙硅比加气砖的制备方法及其制备的高钙硅比加气砖，涉及建筑材料技术领域；一种高钙硅比加气砖的制备方法，包括以下步骤：S1预晶化：称取预晶化原料，混合均匀，转入高压反应釜，晶化，制得硅酸钙晶化复合物；S2混料：称取加气砖粉料，加入步骤S1制得的硅酸钙晶化复合物，混合均匀，制得混合料；S3制浆：向混合料中加入水，搅拌，加入铝粉，继续搅拌，制得料浆；S4发泡静停：将料浆注入模具中，发泡，静停，制得胚体；S5蒸汽养护：将胚体切割成加气块，水蒸汽养护，制得加气砖。高钙硅比加气砖的制备方法具有可提高产品抗压强度的优点。高钙硅比加气砖具有抗压强度高的优点。

技术领域

本发明涉及建筑材料技术领域，尤其涉及一种高钙硅比加气砖的制备方法及其制备的高钙硅比加气砖。

背景技术

加气砖又名加气混凝土砌块，是通过高温蒸压处理制得的加气混凝土产品。加气砖一般以砂子等硅质材料和石灰等钙质材料为主要原料，通过制浆、浇注、静停、切割、蒸压养护等工艺过程制成轻质多孔混凝土产品。加气砖具有轻质、保温性能好、隔音效果好、抗震力强、适应性强和加工性能好等优点，逐渐被广泛使用。

现有的加气砖制备方法一般是先将砂子、水泥、石灰和铝粉等原料配制成浆料，再将浆料浇注至模具中，铝粉与浆料中的碱反应生成氢气从而产生气泡，使浆料膨胀，经静停处理形成含空心结构的胚体，再经水蒸汽高温高压养护制得加气砖。在静停处理过程中，料浆中的氢氧化钙和二氧化硅反应生成硅酸钙凝胶，在胚体高温高压养护过程中，硅酸钙凝胶发生结晶反应生成高强度的半晶态硅酸钙材料，提高了加气砖的抗压强度。

然而，在胚体高温高压养护过程中，若蒸压养护温度过低，硅酸钙凝胶不易于发生结晶反应生成高强度的半晶态硅酸钙材料，影响了加气砖的抗压强度；若蒸压养护温度过高，高强度的半晶态硅酸钙材料容易转晶生成低强度的水石榴石，给加气砖的抗压强度带来一定的不利影响。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的第一个目的在于提供一种高钙硅比加气砖的制备方法，其具有可提高产品抗压强度的优点。

本发明的第二个目的在于提供一种高钙硅比加气砖，其具有抗压强度高的优点。

为实现上述第一个目的，本发明提供了如下技术方案：一种高钙硅比加气砖的制备方法，包括以下步骤：

S1预晶化：称取预晶化原料，混合均匀，转入高压反应釜，密封，加热至160-180℃晶化4-7hr，降至室温，抽滤，将滤饼于60-120℃干燥120-250min，制得硅酸钙晶化复合物；所述预晶化原料包括以下重量份原料：硅酸钠2.5-3份，生石灰粉0.2-0.3份，水6-9份，氢氧化钾0.6-0.9份；

S2混料：称取加气砖粉料，加入0.2-0.8重量份的步骤S1制得的硅酸钙晶化复合物，混合均匀，制得混合料；所述加气砖粉料包括以下重量份原料：砂子120-200份，固体硅胶20-50份，白炭黑20-40份，石膏10-20份，生石灰粉120-150份，水泥20-50份；

S3制浆：向混合料中加入80-120重量份的水，以100-400转/分钟的转速搅拌5-10min，加入0.2-0.5重量份的铝粉，继续搅拌2-4min，制得料浆；

S4发泡静停：将料浆注入模具中，室温发泡30-50min，然后在环境温度为50-60℃条件下静停200-280min，制得胚体；

S5蒸汽养护：将胚体切割成加气块，将加气块转入蒸压釜中，于170-190℃水蒸汽中养护300-360min，制得加气砖。