[发明专利]一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备在审
申请号: | 202010846143.X | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN114078677A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 徐承宗;刘勇;朴松源 | 申请(专利权)人: | 一道新能源科技(衢州)有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/304;H01J37/244 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 324022 浙江省衢州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 离子 注入 传输 装置 设备 | ||
1.一种半导体离子注入传输装置,其特征在于,包括托盘(1)、传输组件、加热组件和测温组件;
所述传输组件与所述托盘(1)连接,所述传输组件用于带动所述托盘(1)移动;
所述托盘(1)包括容纳部(5),所述容纳部(5)用于放置传输件;
所述加热组件与所述托盘(1)连接,所述加热组件用于加热所述传输件;
所述测温组件与所述托盘(1)和所述加热组件连接,所述测温组件用于测量所述传输件的温度,并将温度信号传输给所述加热组件。
2.根据权利要求1所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述托盘(1)为导热托盘(1),所述托盘(1)包括安装腔,所述加热组件包括加热体(2),所述加热体(2)设于所述安装腔内,所述加热体(2)加热所述容纳部(5)。
3.根据权利要求2所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述加热体(2)为板状结构。
4.根据权利要求2所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述安装腔呈孔状,所述加热体(2)为柱状结构,多个所述加热体(2)一一对应的设于所述安装腔内。
5.根据权利要求4所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述测温组件为热电偶(6),所述测温组件与所述加热体(2)一一对应连接,所述测温组件用于测量所述加热体(2)和所述容纳部(5)之间的所述托盘(1)温度。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述容纳部(5)为向所述托盘(1)内凹陷的凹槽。
7.根据权利要求6所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述托盘(1)为金属托盘(1)。
8.根据权利要求1所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述传输组件包括支架(3)和传输导轨(4),所述托盘(1)与至少一个所述支架(3)固定连接,所述支架(3)与所述传输导轨(4)连接,所述传输导轨(4)带动所述支架(3)移动。
9.根据权利要求8所述的半导体离子注入传输装置,其特征在于,所述支架(3)为条状结构,所述支架(3)的两端与所述传输导轨(4)连接。
10.一种离子注入设备,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的半导体离子注入传输装置。
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