[发明专利]一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备

说明书

本发明涉及输送技术领域，具体涉及一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备。半导体离子注入传输装置，包括托盘、传输组件、加热组件和测温组件；传输组件与托盘连接，传输组件用于带动托盘移动；托盘包括容纳部，容纳部用于放置传输件；加热组件与托盘连接，加热组件用于加热传输件；测温组件与托盘和加热组件连接，测温组件用于测量传输件的温度，并将温度信号传输给加热组件。加热组件根据测温组件测得的温度调整对传输件的加热情况，使得传输件在传输过程中进行预热，实现温度的升高且温度控制在设定范围内，该设定温度范围即为传输件合适的加工温度范围，以有益于传输件后续的加工生产，如离子注入工艺的生产。

技术领域

本发明涉及输送技术领域，具体涉及一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备。

背景技术

传输装置是用于输送物料的装置，广泛的应用于散料、颗粒状物料的等的输送。传输装置能够精确的传输物料，如半导体加工领域中硅片的传输。

在半导体加工领域，硅片掺杂与调节接触电阻通常使用离子注入技术。由于硅片离子注入过程需要硅片本身达到200～500℃的合适温度范围，才能获得理想的掺杂效果，如果实际温度控制偏差较大，则会引起元素掺杂浓度的大幅波动，降低掺杂均匀性，最终影响器件的电阻率等电学性能。目前的离子注入设备都是通过皮带传输的方式将硅片运输到离子束源的下部，在离子注入设备的真空环境中无法实现对硅片的前期预热，虽然可以通过离子注入过程产生的离子束发挥一定的加热作用，但这种加热方式并不能实现对温度范围的控制，使得硅片不在合适温度范围内，这对半导体器件的离子注入性能造成了明显制约。

发明内容

因此，本发明提供一种半导体离子注入传输装置，用以解决现有技术的离子注入过程中不能对硅片温度范围控制的问题。

本发明还提供了一种离子注入设备，加工的硅片具有电阻率等电学性良好的优点。

本发明提供一种半导体离子注入传输装置，包括托盘、传输组件、加热组件和测温组件；所述传输组件与所述托盘连接，所述传输组件用于带动所述托盘移动；所述托盘包括容纳部，所述容纳部用于放置传输件；所述加热组件与所述托盘连接，所述加热组件用于加热所述传输件；所述测温组件与所述托盘和所述加热组件连接，所述测温组件用于测量所述传输件的温度，并将温度信号传输给所述加热组件。

可选地，所述托盘为导热托盘，所述托盘包括安装腔，所述加热组件包括加热体，所述加热体设于所述安装腔内，所述加热体加热所述容纳部。

可选地，所述加热体为板状结构。

可选地，所述安装腔呈孔状，所述加热体为柱状结构，多个所述加热体一一对应的设于所述安装腔内。

可选地，所述测温组件为热电偶，所述测温组件与所述加热体一一对应连接，所述测温组件用于测量所述加热体和所述容纳部之间的所述托盘温度。

可选地，所述容纳部为向所述托盘内凹陷的凹槽。

可选地，所述托盘为金属托盘。

可选地，所述传输组件包括支架和传输导轨，所述托盘与至少一个所述支架固定连接，所述支架与所述传输导轨连接，所述传输导轨带动所述支架移动。

可选地，所述支架为条状结构，所述支架的两端与所述传输导轨连接。

本发明还提供一种离子注入设备，包括上述的半导体离子注入传输装置。

本发明的半导体离子注入传输装置，在工作时，所述加热组件用于加热所述传输件，使得传输件的温度升高；所述测温组件用于测量所述传输件的温度，并将温度信号传输给所述加热组件，所述加热组件根据所述测温组件测得的温度调整对传输件的加热情况，使得传输件在传输过程中进行预热，实现温度的升高且温度控制在设定范围内，该设定温度范围即为传输件合适的加工温度范围，以有益于传输件后续的加工生产，如离子注入工艺的生产。