[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010846262.5 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN113363228A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 井上大辅 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

实施方式提供能够提高半导体芯片与金属连接件的接合部的可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有金属连接件。该金属连接件具有上表面、与电极对置的第一下表面、第一端面、第二端面、以及将第一端面与第二端面相连的第二下表面。在与半导体芯片的第一面或者第二面平行的第一方向上,电极的端面位于第一端面与第二端面之间。第二下表面与电极之间的距离比第一下表面与电极之间的距离大。接合部件具有设于第一下表面与电极之间的第一部分、以及设于第二下表面与电极之间且覆盖第二端面且比第一部分厚的第二部分。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-38792号(申请日:2020年3月6日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

近年来,在功率半导体装置中,为了低电阻化,作为半导体芯片与引线框的连接构造,采用了使用板状的金属连接件而并非线的构造。

由于半导体装置的可靠性评价(回流评价、温度循环试验)的热应力,一般在线膨胀系数不同的材质的界面产生应力。在上述功率半导体装置中,例如对将硅的半导体芯片和铜的连接件接合的接合部件(例如焊料)施加应力。特别是,已知应力集中于连接件的端面。通过将覆盖连接件的端面的接合部件的厚度加厚,能够吸收、缓和应力。但是,担心半导体芯片与连接件之间的接合部件的厚度也变厚,导致接合部件的热电阻以及电阻的上升,不能满足半导体装置的希望的特性值。

发明内容

实施方式提供能够提高半导体芯片与金属连接件的接合部的可靠性的半导体装置。

根据实施方式,半导体装置具备:引线框;板状的金属连接件;半导体芯片,设于所述引线框与所述金属连接件之间,具有与所述引线框对置的第一面和与所述金属连接件对置的第二面;设于所述第二面的电极;以及接合部件,设于所述电极与所述金属连接件之间,接合于所述电极以及所述金属连接件。所述金属连接件具有上表面、与所述电极对置的第一下表面、第一端面、第二端面、以及将所述第一端面与所述第二端面相连的第二下表面。在与所述半导体芯片的所述第一面或者所述第二面平行的第一方向上,所述电极的端面位于所述第一端面与所述第二端面之间。所述第二下表面与所述电极之间的距离比所述第一下表面与所述电极之间的距离大。所述接合部件具有第一部分和第二部分,该第一部分设于所述第一下表面与所述电极之间,该第二部分设于所述第二下表面与所述电极之间,覆盖所述第二端面,且比所述第一部分厚。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2是图1中的A-A’线剖面图。

图3的(a)、(b)是实施方式的半导体芯片的示意俯视图。

图4是实施方式的半导体装置中的半导体芯片、第二电极以及金属连接件的示意俯视图。

图5是图4中的B-B’线剖面图。

图6是比较例的半导体装置的示意剖面图。

具体实施方式

以下,参照附图,对实施方式进行说明。另外,在各附图中,对相同的要素标注相同的附图标记。

图1是实施方式的半导体装置1的示意俯视图。

图2是图1中的A-A’线剖面图。图2所示的树脂部件80仅图示了图1中外形线。

半导体装置1具有半导体芯片20、第一引线框11、第二引线框12、第三引线框13、第一金属连接件50、第二金属连接件70、以及树脂部件80。

图3的(a)是半导体芯片20的第一面21的示意俯视图,图3的(b)是半导体芯片20的与第一面21相反的一侧的第二面22的示意俯视图。

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