[发明专利]氮化镓肖特基二极管多级限幅电路有效
| 申请号： | 202010846921.5 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111987144B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张进成;党魁;周弘;张燕妮;张涛;张苇杭;宁静;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/872;H03F1/52 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 镓肖特基 二极管 多级 限幅 电路 | ||
1.一种氮化镓肖特基二极管多级限幅电路，从左到右依次为第一级对管（1）、第二级对管（2）、第三级对管（3），各级对管之间通过微带线L连接，其特征在于：
每一级对管均采用两只凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，其中一只二极管的阳极与微带线连接，阴极接地，另一只二极管的阴极与微带线连接，阳极接地；
所述第一级对管（1）采用厚度为50-200nm的Pt作为阳极金属，开启电压为1.2V；
所述第二级对管（2）采用厚度为50-200nm的Ni作为阳极金属，开启电压为0.8V；
所述第三级对管（3）采用厚度为50-200nm的W或Mo作为阳极金属，开启电压为0.4V。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：
所述微带线L分为参数不同的四段；
第一级对管中的一只二极管阳极连接在第一段微带线L1与第二段微带线L2之间，
另一只管子的阴极连接在第一段微带线L1与第二段微带线L2之间；
第二级对管中的一只二极管阳极连接在第二段微带线L2与第三段微带线L3之间，另一只管子的阴极连接在第二段微带线L2与第三段微带线L3之间；
第三级对管中一只二极管阳极连接在第三段微带线L3与第四段微带线L4之间，另一只管子的阴极连接在第三段微带线L3与第四段微带线L4之间。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，自下而上包括SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN和SiO2双层钝化层，该GaN缓冲层至双层钝化层中间设有阳极凹槽，凹槽侧壁及凹槽边缘上层设有阳极，阳极边缘的AlGaN势垒层上设有阴极。
4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，第一段微带线L1、第二段微带线L2、第三段微带线L3、第四段微带线L4均印制在高频电路板材上。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，第一级对管（1）、第二级对管（2）、第三级对管（3）通过引线键合方式连接在高频电路板上。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，每一级对管采用的凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管阴极均为厚度为22/140/55/45nm的Ti/Al/Ni/Au四种金属的叠层。
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