[发明专利]包括层叠的半导体芯片的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

基板，所述基板具有形成在所述基板的沿第一方向的一侧边缘处的第一基板焊盘和形成在所述基板的沿所述第一方向的另一侧边缘处的第二基板焊盘；

子半导体封装，所述子半导体封装形成在所述基板上，并且所述子半导体封装包括：子半导体芯片；子模制层，所述子模制层围绕所述子半导体芯片的侧面；以及重分配导电层，所述重分配导电层在连接到所述子半导体芯片的子芯片焊盘的状态下延伸到所述子模制层上，并且连接到分别形成在所述子模制层的沿所述第一方向的一侧边缘和另一侧边缘处的第一重分配焊盘和第二重分配焊盘；

第一芯片叠层，所述第一芯片叠层形成在所述子半导体封装上，并且所述第一芯片叠层包括一个或更多个第一主半导体芯片；以及

第二芯片叠层，所述第二芯片叠层形成在所述第一芯片叠层上，并且所述第二芯片叠层包括一个或更多个第二主半导体芯片，

其中，所述子半导体芯片通过连接所述第一重分配焊盘和所述第一基板焊盘的第一子封装互连器以及连接所述第二重分配焊盘和所述第二基板焊盘的第二子封装互连器而连接到所述基板，

其中，所述第一芯片叠层通过第一互连器连接到所述基板，所述第一互连器连接所述一个或更多个第一主半导体芯片的第一芯片焊盘和所述第一基板焊盘，并且

其中，所述第二芯片叠层通过第二互连器连接到所述基板，所述第二互连器连接所述一个或更多个第二主半导体芯片的第二芯片焊盘和所述第二基板焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述一个或更多个第一主半导体芯片依次在沿所述第一方向中的背离所述第一基板焊盘的方向具有偏移的情况下进行层叠，并且

所述一个或更多个第二主半导体芯片依次在沿所述第一方向中的背离所述第二基板焊盘的方向具有偏移的情况下进行层叠。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中

所述第一芯片焊盘设置在所述一个或更多个第一主半导体芯片的根据所述一个或更多个第一主半导体芯片的层叠而暴露的一侧边缘处，并且

所述第二芯片焊盘设置在所述一个或更多个第二主半导体芯片的根据所述一个或更多个第二主半导体芯片的层叠而暴露的另一侧边缘处。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一基板焊盘中的与所述第一子封装互连器连接并且不与所述第一互连器连接的基板焊盘，或所述第二基板焊盘中的与所述第二子封装互连器连接并且不与所述第二互连器连接的基板焊盘用作所述子半导体芯片的电源焊盘或者信号传输焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

所述第一基板焊盘中的不与所述第一子封装互连器连接并且与所述第一互连器连接的基板焊盘用作所述第一芯片叠层的电源焊盘或信号传输焊盘，并且

所述第二基板焊盘中的不与所述第二子封装互连器连接并且与所述第二互连器连接的基板焊盘用作所述第二芯片叠层的电源焊盘或信号传输焊盘。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一基板焊盘中的共同连接到所述第一子封装互连器和所述第一互连器的基板焊盘，或所述第二基板焊盘中的共同连接到所述第二子封装互连器和所述第二互连器的基板焊盘用作接地电源焊盘。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中

所述第一子封装互连器的第一端和所述第一互连器的第一端与所述第一基板焊盘中的所述接地电源焊盘直接接触，并且

所述第二子封装互连器的第一端和所述第二互连器的第一端与所述第二基板焊盘中的所述接地电源焊盘直接接触。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

第三互连器，所述第三互连器连接所述第一芯片焊盘和所述第一重分配焊盘；以及

第四互连器，所述第四互连器连接所述第二芯片焊盘和所述第二重分配焊盘。