[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成沟槽，所述沟槽的底面和侧壁形成有第一介质层；

形成导体层，所述导体层覆盖所述沟槽的底面的所述第一介质层；

在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质层；

在所述基底的具有所述沟槽的一侧形成漂移区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导体层的材料为多晶硅。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导体层的厚度范围为

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成导体层的步骤包括：

形成导体材料层，所述导体材料层覆盖所述沟槽的底面的所述第一介质层和所述基底未形成所述沟槽的上表面；

去除所述基底未形成所述沟槽的上表面的所述导体材料层，以剩余的所述导体材料层为所述导体层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述基底未形成所述沟槽的上表面的所述导体层的工艺包括化学机械抛光工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底的材料为单晶硅，所述第一介质层的材料为氧化硅，所述第一介质层的形成工艺包括热氧化生长工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的底面的所述第一介质层的厚度范围为

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质层的步骤包括：

在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质材料层，所述第二介质材料层的上表面高于所述基底的上表面；

去除高于所述基底的上表面的所述第二介质材料层，以剩余所述材料层为第二介质层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述基底上形成沟槽的步骤之前，还包括：

形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述基底；

所述在所述基底上形成沟槽的步骤包括：

图形化所述第一保护层和所述基底，形成沟槽；

所述在所述基底的具有所述沟槽的一侧形成漂移区的步骤之前，还包括：

去除所述第一保护层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为氮化硅。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底之后，形成第一保护层之前，还包括：

形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述基底；

所述形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述基底的步骤包括：

形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第二保护层；

所述在所述基底上形成沟槽的步骤包括：

图形化所述第一保护层、第二保护层和所述基底，形成沟槽；

所述在所述基底的具有所述沟槽的一侧形成漂移区的步骤之前，还包括：

去除所述第二保护层和所述第一保护层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第第二保护层的材料为氧化硅。

14.如权利要求1-13任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底的具有所述沟槽的一侧形成漂移区的步骤包括：

在所述具有所述沟槽的一侧的所述基底中掺杂所述第一型离子，形成所述漂移区。