[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成沟槽，所述沟槽的底面和侧壁形成有第一介质层；形成导体层，所述导体层覆盖所述沟槽的底面的所述第一介质层；在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质层；在所述基底的具有所述沟槽的一侧形成漂移区。所述形成方法可以提高LDMOS器件的击穿电压的同时，降低LDMOS器件的导通电阻，从而提高LDMOS器件的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体晶体管(Lateral Diffusion MetalOxideSemiconductor，LDMOS)在集成电路涉及以及制造中有着重要的地位，例如高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管(HV LDMOS)便被广泛使用在薄膜晶体管液晶显示屏的驱动芯片中。一般而言，LDMOS晶体管在使用上需要具有较高的源漏击穿电压(BreakdownVoltagebetween Drain and Source，BVDS)与低的开启电阻，以提高元件的效能。

现有的LDMOS与常规晶体管相比，在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显，而且LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。但是也仍然存在源漏击穿电压(Breakdown Voltage between Drain andSource，BVDS)仍然较低，导通电阻较高(On-Resistance，Ron)的问题，不能满足进一步的需要。

所以，如何提高LDMOS器件的器件性能，就成为本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题是如何提高LDMOS器件的器件性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成沟槽，所述沟槽的底面和侧壁形成有第一介质层；

形成导体层，所述导体层覆盖所述沟槽的底面的所述第一介质层；

在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质层；

在所述基底的具有所述沟槽的一侧形成漂移区。

可选的，所述导体层的材料为多晶硅。

可选的，所述导体层的厚度范围为

可选的，所述形成导体层的步骤包括：

形成导体材料层，所述导体材料层覆盖所述沟槽的底面的所述第一介质层和所述基底未形成所述沟槽的上表面；

去除所述基底未形成所述沟槽的上表面的所述导体材料层，以剩余的所述导体材料层为所述导体层。

可选的，所述去除所述基底未形成所述沟槽的上表面的所述导体层的工艺包括化学机械抛光工艺。

可选的，所述基底的材料为单晶硅，所述第一介质层的材料为氧化硅，所述第一介质层的形成工艺包括热氧化生长工艺。

可选的，所述沟槽的底面的所述第一介质层的厚度范围为

可选的，所述第二介质层的材料为氧化硅。

可选的，所述在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质层的步骤包括：

在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质材料层，所述第二介质材料层的上表面高于所述基底的上表面；

去除高于所述基底的上表面的所述第二介质材料层，以剩余所述材料层为第二介质层。

可选的，所述在所述基底上形成沟槽的步骤之前，还包括：