[发明专利]转印滚轮与其制造方法及光学膜片与其制造方法

权利要求书

1.一种转印滚轮制造方法，其特征在于，包括：

一涂布步骤：于一金属滚筒的外表面涂布围绕360度的一光阻层，所述光阻层具有一厚度；

一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层的所述外表面的一侧形成多个曝光图案，所述光阻层的曝光深度小于所述光阻层的厚度，而使得任一个所述曝光图案的深度小于所述光阻层的厚度；

一显影步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光图案的材料，而使得所述光阻层形成对应于多个所述曝光图案的多个凹陷部分及位于多个所述凹陷部分范围外的多个凸起部分；

一光阻蚀刻步骤：通过非等向性蚀刻手段对所述光阻层进行蚀刻，所述光阻蚀刻步骤的蚀刻深度大于任一个所述凹陷部分的厚度且小于任一个所述凸起部分的厚度，而使得多个所述凹陷部分的所述光阻层被完全移除而形成多个镂空部分，而多个所述凸起部分的所述光阻层未被完全移除而形成多个遮蔽于所述金属滚筒的所述外表面的多个遮蔽部分，而形成一图案化光阻层；

一滚筒蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段以所述图案化光阻层为屏蔽蚀刻所述金属滚筒的所述外表面，而于所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印图形；以及

一图案化光阻移除步骤：将所述图案化光阻层从所述金属滚筒的所述外表面移除，进而形成一转印滚轮。

2.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述光阻层的厚度介于3微米至25微米之间。

3.根据权利要求2所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述曝光步骤中，任一个所述曝光图案的深度介于所述光阻层的厚度的1/3至2/3之间。

4.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，任一个所述压印图形的深度介于0.2微米至0.6微米之间，任一个所述压印图形的宽度介于0.3微米至0.8微米之间。

5.根据权利要求4所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，相邻的任两个所述压印图形的间距介于0.6微米至1.6微米之间。

6.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述光阻蚀刻步骤为采用电浆蚀刻手段进行。

7.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述滚筒蚀刻步骤为采用高密度电浆源并以反应式离子蚀刻手段进行。

8.一种转印滚轮，其特征在于，所述转印滚轮以根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法所制成。

9.一种光学膜片制造方法，其特征在于，包括：

一滚轮制造步骤：为以权利要求1所述的转印滚轮制造方法制造一转印滚轮；

一光学膜片转印步骤：以所述转印滚轮不间断地滚压于一透光膜上，以使所述透光膜形成有形状互补于多个所述压印图形的多个光学微结构，进而使所述透光膜构成一光学膜片。

10.一种光学膜片，其特征在于，所述光学膜片以根据权利要求9所述的光学膜片制造方法所制成。