[发明专利]转印滚轮与其制造方法及光学膜片与其制造方法

说明书

本发明公开一种转印滚轮与其制造方法及光学膜片与其制造方法。转印滚轮制造方法包括：在金属滚筒外表面涂布光阻层；在光阻层外表面形成多个曝光图案，任一曝光图案的深度小于光阻层的厚度；使光阻层显影，移除曝光图案的光阻层材料，使得光阻层形成多个凹陷部分及多个凸起部分；通过非等向蚀刻手段对光阻层蚀刻，使得多个凹陷部分的光阻层被完全移除，多个凸起部分的光阻层未被完全移除而形成图案化光阻层；通过非等向蚀刻手段以图案化光阻层为屏蔽对金属滚筒蚀刻，而于金属滚筒形成多个压印图形；将图案化光阻层移除而构成转印滚轮。

技术领域

本发明涉及一种滚轮及光学膜片，特别是涉及一种转印滚轮与其制造方法及光学膜片与其制造方法。

背景技术

现有的一种光学膜片的制造方法为通过转印滚轮压印的方法在光学膜片上转印光学微结构，进而形成一光学膜片。然而，现有的转印滚轮需要经由特殊的工艺在金属滚筒表面形成转印用微结构(例如：使用电铸方法制作转印母模，再以转印母模形成表面具有微结构的金属滚筒)，上述的特殊工艺经常需要耗费大量的经费与时间，而使得以转印式方法制造光学膜片的制造时间及制造成本大幅提升。

故，如何通过转印滚轮制造方法的设计与改良，以克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明实施例针对现有技术的不足提供一种转印滚轮与其制造方法及光学膜片与其制造方法，其能有效地改善现有转印滚轮制造方法所可能产生的缺陷。

本发明其中一实施例公开一种转印滚轮制造方法，其中包括：一涂布步骤：于一金属滚筒的外表面涂布围绕360度的一光阻层，所述光阻层具有一厚度；一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层的所述外表面的一侧形成多个曝光图案，所述光阻层的曝光深度小于所述光阻层的厚度，而使得任一个所述曝光图案的深度小于所述光阻层的厚度；一显影步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光图案的材料，而使得所述光阻层形成对应于多个所述曝光图案的多个凹陷部分及位于多个所述凹陷部分范围外的多个凸起部分；一光阻蚀刻步骤：通过非等向性蚀刻手段对所述光阻层进行蚀刻，所述光阻蚀刻步骤的蚀刻深度大于任一个所述凹陷部分的厚度且小于任一个所述凸起部分的厚度，而使得多个所述凹陷部分的所述光阻层被完全移除而形成多个镂空部分，而多个所述凸起部分的所述光阻层未被完全移除而形成多个遮蔽于所述金属滚筒的所述外表面的多个遮蔽部分，而形成一图案化光阻层；一滚筒蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段以所述图案化光阻层为屏蔽蚀刻所述金属滚筒的所述外表面，而于所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印图形；以及一图案化光阻移除步骤：将所述图案化光阻层从所述金属滚筒的所述外表面移除，进而形成一转印滚轮。

优选地，所述光阻层的厚度介于3微米(μm)至25微米之间。

优选地，所述曝光步骤中，任一个所述曝光图案的深度介于所述光阻层的厚度的1/3至2/3之间。

优选地，任一个所述压印图形的深度介于0.2微米至0.6微米之间，任一个所述压印图形的宽度介于0.3微米至0.8微米之间。

优选地，相邻的任两个所述压印图形的间距介于0.6微米至1.6微米之间。

优选地，所述光阻蚀刻步骤为采用电浆蚀刻手段进行。

优选地，所述滚筒蚀刻步骤为采用高密度电浆源并以反应式离子蚀刻手段进行。

本发明其中一实施例公开一种转印滚轮，其是以上述转印滚轮制造方法所制成。

本发明其中一实施例还公开一种光学膜片制造方法，其包括：一滚轮制造步骤：为以上述转印滚轮制造方法制造一转印滚轮；及一光学膜片转印步骤：以所述转印滚轮不间断地滚压于一透光膜上，以使所述透光膜形成有形状互补于多个所述压印图形的多个光学微结构，进而使所述透光膜构成一光学膜片。

本发明其中一实施例还公开一种光学膜片，其是以上述光学膜片制造方法所制成。