[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202010855072.X | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN112436035A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 金显;金善浩;李善熙;奇圣勋;张喆旼 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李晓伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;
发光元件层,设置在所述基板上;
第一封装层和第二封装层,设置在所述发光元件层上;以及
缓冲层,覆盖所述第一封装层和所述第二封装层,
其中,所述第二封装层包括:第一膜、设置在所述第一膜上的第二膜以及设置在所述第一膜和所述第二膜之间的第三膜,并且
其中,所述第三膜的侧表面较之所述第一膜的侧表面和所述第二膜的侧表面设置在更向内的位置处。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二封装层的侧表面较之所述第一封装层的侧表面设置在更向内的位置处。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第二封装层设置在所述缓冲层和所述第一封装层之间,并且
所述缓冲层与所述第二膜直接接触。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一封装层设置在所述缓冲层和所述第二封装层之间,并且
所述第一封装层与所述第二膜直接接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一膜和所述第二膜中的每个包括SiNx,并且
所述第三膜包括SiOCx。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第三膜的厚度大于所述第一膜的厚度和所述第二膜的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二膜覆盖所述第三膜的侧表面。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述第二膜与所述第一膜的侧表面直接接触。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
第三封装层,设置在所述第一封装层和所述第二封装层之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述第三封装层的侧表面较之所述第二封装层的侧表面设置在更向内的位置处。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
第一区域被限定为所述第三膜的末端和所述第一膜的末端之间的区域,
第二区域被限定为所述缓冲层的末端和所述第三膜的末端之间的区域,
其中,所述第二区域在一方向上的长度由下式限定:
LA2=LTBA-LTA2+LA1
(LTA1≤LTA2≤LTA3)
其中,
LA2表示所述第二区域在所述一方向上的长度,
LA1表示所述第一区域在所述一方向上的长度,
LTBA表示所述缓冲层在所述一方向上的长度,
LTA1表示所述第一封装层在所述一方向上的长度,
LTA2表示所述第二封装层在所述一方向上的长度,并且
LTA3表示所述第三封装层在所述一方向上的长度。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第一区域在所述一方向上的长度小于所述第二区域在所述一方向上的长度。
13.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述第三封装层的厚度大于所述第一封装层的厚度和所述第二封装层的厚度,并且
所述第三封装层和所述第二膜包括彼此不同的碳化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的