[发明专利]一种金属硅化物制备方法和制备辅助装置

权利要求书

1.一种金属硅化物制备方法，其特征在于，包括：

在混合后的金属源和硅源的外周包覆密封结构，以形成待反应块体，所述密封结构的内腔壁与混合后的金属源和硅源的外周壁贴合；

在预设反应压力和预设反应温度条件下使所述待反应块体发生化学反应；

对所述待反应块体泄压降温至常温常压以得到金属硅化物。

2.如权利要求1所述的金属硅化物制备方法，其特征在于，所述在混合后的金属源和硅源的外周包覆密封结构，以形成待反应块体之前，所述方法还包括：

将金属源和硅源混合成混合物；

将所述混合物压制形成混合块体。

3.如权利要求1所述的金属硅化物制备方法，其特征在于，所述密封结构包括隔绝层和产热层；所述在混合后的金属源和硅源的外周包覆密封结构，以形成待反应块体包括：

在混合后的所述金属源和所述硅源的外周包覆所述隔绝层；

在所述隔绝层外周包覆所述产热层，以形成待反应块体。

4.如权利要求3所述的金属硅化物制备方法，其特征在于，所述密封结构还包括保温层和静水压层；所述在所述隔绝层外周包覆所述产热层，以形成待反应块体包括：

在所述产热层外周包覆所述保温层；

在所述保温层外周包覆所述静水压层，以形成待反应块体。

5.如权利要求1所述的金属硅化物制备方法，其特征在于，所述在预设反应压力和预设反应温度条件下使所述待反应块体发生化学反应包括：

在预设反应压力为0.1GPa至30GPa、预设反应温度为500℃至3000℃的条件使所述待反应块体发生化学反应，反应时间为120min至300min。

6.如权利要求1至5任一项所述的金属硅化物制备方法，其特征在于，所述金属源为ⅣB、ⅤB、ⅥB、ⅦB和Ⅷ族金属元素中的一种。

7.如权利要求1至5任一项所述的金属硅化物制备方法，其特征在于，所述在预设反应压力和预设反应温度条件下使所述待反应块体发生化学反应包括：

在所述预设反应温度条件下，使用大腔体压机对所述待反应块体加压至预设反应压力使所述待反应块体发生化学反应；其中，所述大腔体压机为六面顶压机。

8.一种金属硅化物制备辅助装置，其特征在于，包括用于包覆于金属源和硅源的外周的密封结构；所述密封结构具有腔室，且所述腔室的内壁与所述金属源和硅源的外周贴合设置。

9.如权利要求8所述的金属硅化物制备辅助装置，其特征在于，所述密封结构包括隔绝层和产热层；所述隔绝层包括隔绝筒和盖合所述隔绝筒两端开口的隔绝盖，所述隔绝筒和所述隔绝盖围合形成所述腔室；所述产热层包覆于所述隔绝筒和所述隔绝盖外壁，用于在通电时，发出热量。

10.如权利要求9所述的金属硅化物制备辅助装置，其特征在于，所述密封结构还包括保温层和静水压层；所述保温层包覆于所述产热层外周，所述静水压层包覆于所述保温层外周。