[发明专利]形成封装结构的方法

权利要求书

1.一种形成封装结构的方法，包括：

在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒结构；

在该第一基板的一第二表面下方形成多个电连接器；

在该第一基板的该第二表面下方形成一第一突出结构，其中所述多个电连接器被该第一突出结构围绕；

在一第二基板上方形成一第二突出结构；以及

将该第一基板接合至该第二基板，其中所述多个电连接器被该第二突出结构围绕，并且该第一突出结构不与该第二突出结构重叠。

2.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括：

在将该第一基板接合到该第二基板之前，从该第一基板的该第二表面加压多个电连接器的一部分，使得所述多个电连接器的该部分具有一实质底部平坦的表面。

3.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括：

在该第一基板的该第一表面上方形成一环形结构或一罩盖结构，其中该晶粒结构被该环形结构或该罩盖结构围绕。

4.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中当从俯视观察时，该第一突出结构具有L形。

5.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中当从俯视观察时，该第一突出结构具有四个子部分，并且所述多个子部分的每一个位于该第一基板的角落。

6.一种形成封装结构的方法，包括：

在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒结构；

在该第一基板的一第二表面下方形成多个电连接器；

在所述多个电连接器旁边形成一第一突出结构；

从该第一基板的该第二表面加压一第一区域中的多个电连接器的一部分，使得该第一区域中的所述多个电连接器的每一个具有一实质底部平坦的表面；

在一第二基板上方形成一第二突出结构以及一第三突出结构，其中该第二突出结构以及该第三突出结构为不同的高度；以及

将该第一基板接合至该第二基板，其中该第一突出结构位于该第二突出结构以及该第三突出结构之间。

7.如权利要求6所述的形成封装结构的方法，其中该晶粒结构包括：

多个硅通孔，在一第三基板中形成；

一内连线结构，在所述多个硅通孔上方形成；以及

一晶粒，在该内连线结构上方形成。

8.一种形成封装结构的方法，包括：

在一第一基板上方形成一晶粒结构；

在该第一基板下方形成多个电连接器；

在该第一基板下方形成一第一支撑结构，其中该第一支撑结构具有一第一高度；

对所述多个电连接器执行一加压工艺，使得该电连接器包括一第一组被加压电连接器以及一第二组未被加压电连接器；以及

使用所述多个电连接器将该第一基板接合到一第二基板，其中该第一组被加压电连接器中的一个具有一第二高度，该第二组未被加压电连接器中的一个具有一第三高度，该第一高度小于该第二高度，并且该第二高度小于该第三高度。

9.如权利要求8所述的形成封装结构的方法，还包括：

在将该第一基板接合到该第二基板之前，在该第二基板上方形成一第二突出结构，其中在将该第一基板接合到该第二基板之后，该第二突出结构在该第一基板以及该第二基板之间。

10.如权利要求9所述的形成封装结构的方法，还包括：

在将该第一基板接合到该第二基板之前，在该第二基板上方形成一第三突出结构，其中该第二突出结构在该第一突出结构以及该第三突出结构之间。