[发明专利]形成封装结构的方法在审
申请号: | 202010856662.4 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN112509934A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 黄冠育;黄松辉;侯上勇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 封装 结构 方法 | ||
提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构,以及在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出结构,并且电连接器被第一突出结构围绕。方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构,以及将第一基板接合至第二基板。电连接器被第二突出结构围绕,并且第一突出结构不与第二突出结构重叠。
技术领域
本公开实施例涉及一种封装结构,特别涉及一种形成封装结构的方法。
背景技术
半导体装置被使用于各种电子应用中,像是个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。通常通过在半导体基板上方依序地沉积材料的绝缘或介电层、导电层、以及半导电层,并且使用微影图案化各种材料层以在其上形成电路构件以及元件来制造半导体装置。通常在单个半导体晶圆上制造许多集成电路,并且通过沿着切割道(scribe line)在集成电路之间进行切割来单粒化(singulate)晶圆上的各个晶粒。通常将各个晶粒分别封装在例如多芯片模块中或其他类型的封装中。
已经开始开发像是封装上封装(package on package,PoP)的新封装技术,其中具有装置晶粒的顶部封装与另一装置晶粒接合至底部封装。通过采用新的封装技术,具有不同或相似功能的各种封装被整合在一起。
尽管现有的封装结构以及制造封装结构的方法通常已经足以满足其预期目的,但是它们并非在所有方面都是完全令人满意的。
发明内容
根据本公开的一些实施例,提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构,在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出结构,并且电连接器被第一突出结构围绕。此方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构,以及将第一基板接合至第二基板。电连接器被第二突出结构围绕,并且第一突出结构不与第二突出结构重叠。
根据本公开的一些实施例,提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构,在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在电连接器旁边形成第一突出结构,从第一基板的第二表面加压第一区域中的多个电连接器的一部分,使得第一区域中的电连接器的每一个具有实质底部平坦的表面。方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构以及第三突出结构,并且第二突出结构以及第三突出结构为不同的高度。方法包括将第一基板接合至第二基板,并且第一突出结构位于第二突出结构以及该第三突出结构之间。
根据本公开的一些实施例,提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板上方形成晶粒结构,并且在第一基板下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板下方形成第一支撑结构,并且第一支撑结构具有第一高度,方法还包括对电连接器执行加压工艺,使得电连接器包括第一组被加压电连接器以及第二组未被加压电连接器。方法还包括使用电连接器将第一基板接合到第二基板,并且第一组被加压电连接器中的一个具有第二高度。第二组未被加压电连接器中的一个具有第三高度。第一高度小于第二高度,并且第二高度小于第三高度。
附图说明
以下将配合说明书附图详述本公开的实施例。应注意的是,依据在业界的标准做法,多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上,可能任意地放大或缩小元件的尺寸,以清楚地表现出本公开的特征。
图1A至图1M示出了根据本公开的一些实施例的形成封装结构的各个阶段的剖面图。
图1M’示出了根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。
图2A示出了根据本公开的一些实施例的环形结构的俯视图。
图2B示出了根据本公开的一些实施例的图1K中的第一突出结构的俯视图。
图2C示出了根据本公开的一些实施例的图1L中的第二突出结构的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造