[发明专利]一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法在审
| 申请号： | 202010858266.5 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111965324A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈立强;刘若水;张树金 | 申请（专利权）人： | 深圳市美克森电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/22 | 分类号： | G01N33/22 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 郭鸿宾 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 甲烷 气体 传感器 抗硅气敏 检测 体制 方法 | ||
1.一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：取一定量的氧化亚锡、三氧化二铝、三氧化二锑、催化剂，加入反应釜中，向反应釜中注水，对反应釜内的混合溶液进行加热、搅拌，待反应完全之后，取出混合液，放入烧结桶内加热进行烧结，取烧结后得到的晶体，经热塑成型、裁剪制成符合规格的抗硅气敏检测体。
2.如权利要求1所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：所述氧化亚锡的质量比为1％～6％。
3.如权利要求1所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：三氧化二铝的质量比为0.2％～1％。
4.如权利要求1所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：三氧化二锑的质量比为0.1％～0.5％。
5.如权利要求1所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：所述催化剂包括硝酸钯和正硅酸乙酯，硝酸钯的质量比为0.1％～2％，正硅酸乙酯的质量比为0.1％～0.4％。
6.如权利要求1所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：反应釜内的混合溶液的加热温度为100～150摄氏度。
7.如权利要求6所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：在加热温度为100～150摄氏度条件下，反应釜内的混合溶液反应时长为2～3小时。
8.如权利要求1所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：所述烧结温度为650摄氏度。
9.如权利要求8所述的一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法，其特征在于：在烧结温度为650摄氏度条件下，烧结时长为1小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市美克森电子有限公司，未经深圳市美克森电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010858266.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防止底部积灰的低低温省煤器
- 下一篇：一种高比能量动力铅酸电池的制作方法
