[发明专利]一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法在审
申请号: | 202010858266.5 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111965324A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 陈立强;刘若水;张树金 | 申请(专利权)人: | 深圳市美克森电子有限公司 |
主分类号: | G01N33/22 | 分类号: | G01N33/22 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 郭鸿宾 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 甲烷 气体 传感器 抗硅气敏 检测 体制 方法 | ||
本发明提供了一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法,解决了甲烷气体传感器的抗硅性能较差,不能满足新国标要求标准的问题。本发明取一定量的氧化亚锡、三氧化二铝、三氧化二锑、催化剂,加入反应釜中,向反应釜中注水,对反应釜内的混合溶液进行加热、搅拌,待反应完全之后,取出混合液,放入烧结桶内加热进行烧结,取烧结后得到的晶体,经热塑成型制成符合规格的抗硅气敏检测体。采用本发明所提出的方法制成的气敏检测体材料,制成的新的甲烷气体传感器,经实验之后,证明可以满足新国标的±10%LEL3000ppm浓度的甲烷气体通气后,误差浮动±1%以内的要求。
技术领域
本发明涉及传感器制造技术领域,特别是指一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法。
背景技术
甲烷气体传感器用于各种火灾预警场合,如厨房、燃气站等储存有可燃气体的地方;目前的甲烷气体传感器,多是在新房装修完成后,直接装在新房内,然而由于新房内的装修材料会散发出含硅有毒成分散发在在空气中,这些含硅的有毒成分会与甲烷气体传感器的气敏检测体发生反应,在气敏检测体的表层形成一层阻碍膜,使的气敏检测体的高度增加,并阻碍气敏检测体与甲烷发生反应,造成气敏检测体发生硅中毒,降低甲烷气体传感器的甲烷监测灵敏度,甚至使得甲烷气体传感器不能再监测到甲烷气体,若发现不及时,没有及时更换,就会造成极大的安全隐患。按照今年刚发布的甲烷气体传感器新国家标准偏差要求:±10%LEL3000ppm浓度的甲烷气体通气后,误差浮动±1%以内,方为合格产品;目前市场上的甲烷气体传感器的抗硅性能基本都达不到新国标要求,急需企业、科研机构对甲烷气体传感器进行研究,提出新的技术解决方案,以使甲烷气体传感器适应新国标的抗硅要求。
发明内容
为了解决背景技术中所存在的现有的甲烷气体传感器的抗硅性能较差,不能满足新国标要求标准的问题,本发明提出了一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法。
本发明的技术方案是:一种甲烷气体传感器的抗硅气敏检测体制备方法,取一定量的氧化亚锡、三氧化二铝、三氧化二锑、催化剂,加入反应釜中,向反应釜中注水,对反应釜内的混合溶液进行加热、搅拌,待反应完全之后,取出混合液,放入烧结桶内加热进行烧结,取烧结后得到的晶体,经热塑成型制成符合规格的抗硅气敏检测体。
进一步,所述氧化亚锡的质量比为1%~6%。
进一步,三氧化二铝的质量比为0.2%~1%。
进一步,三氧化二锑的质量比为0.1%~0.5%。
进一步,所述催化剂包括硝酸钯和正硅酸乙酯,硝酸钯的质量比为0.1%~2%,正硅酸乙酯的质量比为0.1%~0.4%。
进一步,反应釜内的混合溶液的加热温度为100~150摄氏度。
进一步,在加热温度为100~150摄氏度条件下,反应釜内的混合溶液反应时长为2~3小时。
进一步,所述烧结温度为650摄氏度。
进一步,在烧结温度为650摄氏度条件下,烧结时长为1小时。
本发明的优点:采用本发明所提出的方法制成的气敏检测体材料,制成的新的甲烷气体传感器,在实验室内对新制成的甲烷气体传感器,通17ppm浓度的含硅气体40min之后,再进行通3000PPM浓度甲烷气体,经实验检测之后,采用新的气敏检测体材料制成的甲烷气体传感器,其抗硅新能完全符合新国标的±10%LEL以内的标准偏差要求,解决了甲烷气体传感器的抗硅性能要求,使得新的甲烷气体传感器在装在新装修的房屋内之后,不会再因与含硅气体反应而导致甲烷气体传感器失灵,产生安全隐患的问题。
附图说明
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