[发明专利]半导体反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括：

腔体（100），所述腔体（100）围成内腔（110）；

静电卡盘（200），所述静电卡盘（200）位于所述内腔（110）中，所述静电卡盘（200）包括基体（210）和功能层，所述功能层设置于所述基体（210）上，且所述基体（210）与所述功能层通过粘接固定，所述基体（210）开设有多个接线通道（211），所述功能层覆盖在所述接线通道（211）的端口，且与所述基体（210）围成容纳腔；

功能接线（300），所述功能接线（300）穿过所述接线通道（211），且与所述功能层接触；

抽气装置（400），所述抽气装置（400）与所述容纳腔连通且用于对所述容纳腔抽真空；和/或，

充气装置（500），所述充气装置（500）与所述容纳腔连通且用于对所述容纳腔充气。

2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述抽气装置（400）包括抽气机构（410）和第一管道（420），所述抽气机构（410）设置于所述内腔（110）之外，所述抽气机构（410）通过所述第一管道（420）与所述容纳腔连通，且所述第一管道（420）上设置有第一开关阀（421）；和/或，

所述充气装置（500）包括充气机构（510）和第二管道（520），所述充气机构（510）设置于所述内腔（110）之外，所述充气机构（510）通过所述第二管道（520）与所述容纳腔连通，且所述第二管道（520）上设置有第二开关阀（521）。

3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括压力检测装置（430），所述压力检测装置（430）与所述容纳腔连通，所述压力检测装置（430）用于检测所述容纳腔内的气压大小。

4.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括安装部（600），所述安装部（600）位于所述内腔（110）中，所述基体（210）设置于所述安装部（600）上，所述安装部（600）开设有与所述容纳腔连通的安装孔（610），所述抽气装置（400）和/或所述充气装置（500）通过所述安装孔（610）与所述容纳腔连通。

5.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括连接法兰（700），所述连接法兰（700）设置于所述安装部（600）背离所述静电卡盘（200）的一侧，所述连接法兰（700）开设有气体通道（710），所述气体通道（710）与所述安装孔（610）连通，所述抽气装置（400）和/或所述充气装置（500）与所述气体通道（710）连通。

6.根据权利要求5所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括密封圈，所述安装部（600）朝向所述连接法兰（700）的一侧开设有环形凹槽（620），所述环形凹槽（620）围绕所述安装孔（610）设置，部分所述密封圈处于所述环形凹槽（620）内，以使所述气体通道（710）与所述安装孔（610）之间通过所述密封圈密封连接。

7.根据权利要求6所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括螺栓，所述连接法兰（700）包括相连的本体部（720）和连接部（730），所述密封圈设置于所述安装部（600）与所述连接部（730）之间，所述连接部（730）开设有第一通孔（731），所述安装部（600）开设有螺纹孔，所述螺栓穿过所述第一通孔（731），且与所述螺纹孔相连。

8.根据权利要求5所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述连接法兰（700）的侧壁开设有与所述气体通道（710）连通的穿线孔（740），所述功能接线（300）通过所述穿线孔（740）穿出，所述功能接线（300）与所述穿线孔（740）之间密封连接。